Others 플라즈마와 사용되는 기체선택

2004.06.19 16:28

관리자 조회 수:18239 추천:226

산업용으로 플라즈마를 사용할 때의 플라즈마의 역할은 반응개스의 대상 물질간의 화학반응을 활성화 하거나 이온에 의한 물리적인에너지 전달을 목적으로 합니다. 일단 sputter와 같이 이온의 물리적인 에너지가 중요한인자가 되는 경우는 주로 inert gas를 사용하여 플라즈마를 만들며 질량도 큰것을 선택하게 됩니다. 또한 만일 표면의 화학 반응등을 목적으로 한다면, 예를 들어 식각과 같은 목적이라면 사용되는 기체는 여러가지 혼합기체를 이용하게 되는데 여기에는 대상 물질(예를 들어 실리콘 웨이퍼)과 화학 반응을 잘하는 F, Cl이 포함된 기체와 첨가 기체로 산소나 수소를 사용하게 됩니다. 이 경우에는 Ar등은 대부분 포함되지 않으며 위의 두 기체는 F의 농도를 조절하기 위하여 첨가되는 것입니다. 따라서 사용되는 기체의 선택은 처리대상에 따라서 달라지는 것이 일반적이며 각 반도체 회사마다, 장비마다 같은 대상에 대해서도 서로 다른 기체와 혼합비를 선택하여 사용하고 있기도 합니다. 결론적으로 process plasma에서 기체의 선택은 대상 물질에 따라, 반응기의 특성에 따라 달라짐이 일반적인 현상입니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76670
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20149
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57149
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68669
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92162
93 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1233
92 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1223
91 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1154
90 Group Delay 문의드립니다. [1] 1142
89 자기 거울에 관하여 1136
88 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1130
87 wafer bias [1] 1126
86 전자 온도 구하기 [1] file 1123
85 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 1113
84 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] 1110
83 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1072
82 Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] 1046
81 DC Plasma 전자 방출 메커니즘 1035
80 플라즈마 코팅 [1] 1035
79 진학으로 고민이 있습니다. [2] 1029
78 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] 1011
77 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] 993
76 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 965
75 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 961
74 O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] 956

Boards


XE Login