Etch 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다.
2016.07.11 17:15
안녕하세요.
지난 서울대에서 기술교류회에 참석했던 성균관대학교 학생 중 한명인 가두현 이라고 합니다.
이제 막 반도체 공정에 대해 공부를 하고 있는 대학원생인데요.
etching시 Trench와 via를 어떻게 구분을 하는건지 궁금해서 글을 남깁니다.
trench와 via를 BEOL과 FEOL에서 따로 구분을 하는건지 헷갈리네요.
이상입니다. 수고하세요~
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76714 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20170 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68696 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92273 |
568 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16945 |
567 | 플라즈마 처리 | 16931 |
566 | ICP 식각에 대하여... | 16915 |
565 | Virtual Matchng | 16853 |
564 | sputter | 16845 |
563 | nodule의 형성원인 | 16756 |
562 | 좁은 간격 CCP 전원의 플라즈마 분포 논문에 대해 궁금한 점이 있습니다. [2] | 16653 |
561 | 몇가지 질문있습니다 | 16578 |
560 | CCP 의 electrode 재질 혼동 | 16484 |
559 | 플라즈마의 어원 | 16333 |
558 | 궁금해서요 | 16315 |
557 | 궁금합니다 [1] | 16177 |
556 | 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용 | 16067 |
555 | 플라즈마로 처리가 어떻게 가능한지 궁금합니다. [1] | 16035 |
554 | 핵융합과 핵폐기물에 대한 질문 | 16023 |
553 | 역 수소폭탄에 대하여... | 16009 |
552 | k star | 15955 |
551 | ICP TORCH의 냉각방법 | 15919 |
550 | corona | 15886 |
549 | Sputtering 중 VDC가 갑자기 변화하는 이유는 무엇인가요? | 15885 |