Matcher ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의
2013.04.22 15:03
안녕하세요~
반도체 회사에 근무하는 엔지니어 입니다.
ICP Type의 장비를 다루는데 RF source가 Top(1.8MHz)/Side(2.0MHz)/Bias(13.56MHz)로 구성되어 있고,
Ar gas로 50mTorr의 압력으로 상승 시킨후에 Top RF부터 인가하게 됩니다. (Top의 Antenna 권선수 n= 4 , Side=2)
궁금한 점은 Top을 plasma ignition시 잘 켜지는데, Side부터 인가하게 되면 reflection이 input값만큼 뜨면서 ignition fault가 발생합니다.
TOP이 권선수가 많아 전자의 속도가 더 빨라서 그런것인가요??
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20182 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68698 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
529 | 플라즈마 분배에 관하여 정보를 얻고 싶습니다. | 13201 |
528 | 플라즈마가 생기는 메커니즘에 대한 질문입니다. [1] | 13056 |
527 | 반응기의 면적에 대한 질문 | 12809 |
526 | [기초]CCP Type에서의 Self-Bias(-Vdc) + Vp (plasma potential) 관련 질문입니다. [1] | 12757 |
525 | ICP와 CCP의 차이 [3] | 12483 |
524 | 플라즈마에 대해서 꼭알고 싶은거 있는데요.. | 12354 |
523 | 플라즈마 살균 방식 [2] | 11448 |
522 | N2, Ar Plasma Treatment 질문입니다. [1] | 11411 |
521 | Arcing(아킹) 현상 및 local plasma 관련 문의 [1] | 11320 |
520 | DC bias (Self bias) [3] | 11259 |
519 | RGA에 대해서 | 10541 |
518 | 플라즈마 PIC 질문드립니다. [1] | 10378 |
517 | Remote Plasma에서 Baffle 재질에 따른 Plasma 특성 차이 [1] | 10354 |
516 | matcher에서 load,tune의 역할이 궁금합니다. [1] | 10348 |
515 | 미국의 RF 관련 회사 문의드립니다. [1] | 10298 |
514 | 플라즈마에 하나도 모르는 완전초보입니다..도와주십시오ㅠㅠ [1] | 9960 |
» | ICP 구성에서 PLASMA IGNITION시 문의 [1] | 9849 |
512 | 저온 플라즈마 장비에 관련하여 자문을 구합니다. | 9842 |
511 | 수중 방전 관련 질문입니다. [1] | 9665 |
510 | 대기압 플라즈마에 대해서 | 9636 |