질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:91694 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76538
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91694
464 RPS를 이용한 NF3와 CF4 Etch Rate 차이 [4] 6200
463 O2, N2, Ar 플라즈마에 대한 질문입니다. [2] 6121
462 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6045
461 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 5930
460 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5910
459 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5865
458 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5784
457 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 5732
456 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5648
455 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5462
454 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5417
453 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5180
452 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5115
451 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5021
450 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4738
449 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 4712
448 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [2] 4360
447 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4293
446 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4239
445 플라즈마 색 관찰 [1] 4191

Boards


XE Login