안녕하세요 현재 2차원물질 공정을 연구하는 석사과정 대학원생입니다.

이 공정중에는 플라즈마 처리가 있는데요

power가 커짐에 따라 챔버내부의 빛도 밝아지는 것을 볼수 있는 반면에

압력을 30에서 120mTorr으로 증가시켰을때는 어두워지는 것을 관찰하였습니다.

power와 마찬가지로 압력도 밝기에 비례할것이라고 예상하였는데 어떤 이유가 있는지 궁금합니다.


감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20182
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
449 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4178
448 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4147
447 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4010
446 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
445 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3964
444 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3954
443 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3918
442 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3907
441 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3804
440 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3768
439 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3748
438 Descum 관련 문의 사항. [1] 3721
437 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3701
436 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3686
435 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3646
434 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3617
433 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3557
432 ESC Cooling gas 관련 [1] 3533
431 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3533
430 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3527

Boards


XE Login