안녕하세요?


현재 반도체 회사에서 CVD 설비 PART에 근무하고 있는 윤종문이라고 합니다.


플라즈마와 관련되어 CCP 방식의 설비에서 발생되는 문제에 대해 질문하려고 하는데요

HF(13.56Mhz)와 LF(4khz)를 모두 사용하는 설비입니다.


LF의 주파수가 고정되어 있는 상태에서 파워가 800kW가 되었을 때, Alloy 6061로 이루어진 Shower Head에서 Mg의 반응성이 문제가 되어 Particle Issue가 발생되고 있는데요.. 그 이유를 찾고 있습니다.

논문을 하나 찾아본 것이 있는데, 그 논문에서는 고온에서 발생하는 열팽창계수의 차이 때문에 발생되는 Warpage로 인해 코팅된 표면에 Crack이 발생되어 Flouorine이 침투되어 영향을 줄 수 있다고 되어있습니다만..

이 경우에는 온도는 동일하고 LF의 파워가 800kW가 되었을 때만 문제가 발생합니다.

LF POWER가 상승하면 alloy의 표면에 온도에 대한 영향을 주는 건지 궁금하네요.


요약


1 / 플라즈마(LF의 주파수는 고정)의 파워가 상승 했을 때 Alloy 6061에 어떤 영향(화학적으로, 특히 Mg에)을 미칠 가능성이 있는지요?

2 / Mg이 반응하게 되는 이유가 반응성이 크다 라는 것 말고 RF적으로 다른 이유가 있을까요?

3/ 논문에서 온도에 대한 영향 가능성을 읽었는데, 플라즈마 파워가 온도에 영향을 critical하게 주는 factor인가요?

4 /  이런 문제를 해결하기 위해 chemical polishing이나, seasoning을 염두에 두고 있는데.. 어떤 부분에서 접근해야 영향성을 줄일 수 있을까요?


라고 정리해보았습니다.


제가 아는게 그리 많지 않아서 질문이 많습니다..

답변 해주시면 감사하겠습니다 ^_^..

좋은 하루 되세요..

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] 76683
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20152
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57159
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68679
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92193
447 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4166
446 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4138
445 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4004
444 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3977
443 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3963
442 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 3949
441 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3902
» HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3890
439 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3794
438 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3747
437 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3740
436 Descum 관련 문의 사항. [1] 3717
435 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3684
434 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3678
433 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3641
432 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3609
431 방전에서의 재질 질문입니다. [1] 3556
430 ESC Cooling gas 관련 [1] 3524
429 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3523
428 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3514

Boards


XE Login