저는 광학박막 분야에서 sputter 장비를 이용하여 간섭필터를 코팅하고 있습니다.

sputter에 ICP를 같이 사용하여 기판에 증착된 Si와 반응가스를 결합시키는 용도로 사용하고 있습니다.

ICP코일 앞에 위치한 Quartz 표면에서 식각된 것 같은 모양새를 보여 원인분석에 있습니다.


질문1. ICP 쪽에 Self bias로 인해 Quartz가 식각되는 현상이 발생될 수 있는지 궁금합니다

질문2. Ar과 함께 들어가는 반응가스로 O2를 사용했을 때와 H2를 사용했을 때 ICP 쪽과 기판 쪽에서 어떤 현상들이 생기는지 궁금합니다

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20183
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57167
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68698
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92276
429 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3510
428 Gas 별 Plasma 색 관련 질문입니다. [1] 3444
427 코로나 방전의 속도에 관하여... [1] 3443
426 Bias 관련 질문 드립니다. [1] 3411
425 RF plasma 증착 시 arcing 관련하여 질문드립니다. [1] 3407
424 plasma sheath 두께의 영향에 대하여 질문드립니다. [2] 3382
423 Etcher Chamber Wall에 의도적으로 Polymer를 증착시키고 싶습니다. [2] 3323
422 PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] 3323
421 RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] 3298
420 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3273
419 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3203
418 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3193
417 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3179
416 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3165
415 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3162
414 CVD 공정에서의 self bias [1] 3099
413 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3052
412 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 2971
411 Plasma etcher particle 원인 [1] 2964
410 RF matcher와 particle 관계 [2] 2918

Boards


XE Login