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공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 71050
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428 안녕하십니까 파워업체 연구원 입니다.(챔버쪽 임피던스 검출) [플라즈마 특성과 장비 임피던스] [1] file 2740
427 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [Standing wave effect] [1] 2723
426 ECR 플라즈마에 대해서 질문드립니다. [ECR과 uniformity] [1] 2722
425 플라즈마 방전을 위한 RF Power 공급시점에서의 반사파에 관해서 질문드립니다. [최적 정합 조건 및 정합 시간] [2] 2722
424 산소 양이온의 금속 전극 충돌 현상 [플라즈마 표면 반응] [1] 2713
423 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [Polymer coating 식각] [1] 2709
422 Load position관련 질문 드립니다. [Impedance matching] [1] 2699
421 N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [충돌 반응 및 전력 전달 모델] [1] 2695
420 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [Ionization collision 및 Effective ionization energy] [1] 2685
419 DRY Etcher Alarm : He Flow 관점 문의 드립니다. [O ring 결합부 근처 leak detect] [1] 2665
418 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [Etch와 remote plasma] [1] 2657
417 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [플라즈마 dielectric property] [4] 2633
416 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAT <-> STAGE HEATER 간 GAP과 DEPO 막질의 THK와의 연관성…. [Plasma property와 process control] [1] 2632
415 안녕하세요. 교수님 ICP 관련하여 문의드립니다. [충돌 단면적 및 반응 계수] [2] 2624
414 ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [ESC 영역 온도 조절] [1] 2613
413 Dry etch 할 때 센터와 사이드 etch rate [Plasma diffusion과 distribution] [1] 2612
412 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [Paschen's Law, P-d 방전 곡선] [1] 2575
411 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다. [플라즈마 특성변화와 SH impedance 변화] [1] 2573
410 LF Power에의한 Ion Bombardment [플라즈마 장비 물리] [2] 2562
409 Etch 공정(PE mode) Vpp 변동 관련. [Self bias 형성 과정과 전자의 에너지] [1] 2562
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