Others O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다.

2017.02.22 22:41

opqr908 조회 수:1423

안녕하세요 서울대학교 박사과정 학생입니다. 

실험을 설계하는중 플라즈마 공정에 관해서 모르는 점이 많아서 여쭤봅니다. 

O2 Plasma etch공정에서 저희가 sample이 받는 Total 플라즈마 에너지 혹은 etch rate을 일정하게 
유지하면서 Power를 바꿔보고싶습니다. 가스 flow rate 와 가스 종류, 시간은 바꾸지 않고 power와 pressure만 컨트롤 해서 유지가 가능할까요? 이렇게 할 경우에 Power가 바뀔시 Pressure가 어떤식으로 바껴야 Plasma energy를 가능한 일정하게 유지할 수있는지를 알수있는 식이나 상관관계가 있나요? 
예를 들어서,  power: 50W, 에서 100W로 두배 올릴때 압력은 어떤 변화를 가지게 되나요?
정확한 수치를 계산하는 목적이 아닌 대략적으로라도 실험을 일관성 있게 진행하려는 목적으로 질문을 드립니다. 
답변 부탁드리겠습니다. 


감사합니다. 
이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20172
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57165
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68696
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92274
348 잔류가스분석기(RGA)에 관하여 질문드립니다. [1] 1961
347 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1951
346 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1951
345 13.56MHz resonator 해석 관련 문의 [1] 1950
344 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1941
343 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1933
342 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1914
341 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1911
340 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1906
339 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1900
338 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1889
337 가입인사드립니다. [1] 1880
336 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1869
335 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1863
334 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1860
333 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1847
332 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1846
331 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1844
330 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1843
329 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1808
쓰기
태그

Boards

XE Login