안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.

너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속

-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )

-> 임피던스 감소


여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.

그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는

플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는 

플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데


저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.


번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
343 ICP power와 ion energy사이의 관계에 대해서 문의드립니다. [2] 1943
342 플라즈마 띄울때..ㅠㅠ!!? [1] 1923
341 안녕하세요 ICP dry etching 관련 질문사항드립니다! [1] 1920
340 3 stub 정합에 대해 궁금합니다. [1] 1904
339 Remote Plasma 가 가능한 이온 [1] 1902
338 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 1893
337 RF generator 관련 문의드립니다 [3] 1889
336 유도결합 플라즈마 소스 질문!!!? [2] 1889
335 가입인사드립니다. [1] 1880
334 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 1878
333 쉬스(sheath)에서 전자와 이온의 감소 관련하여 질문 [1] 1877
332 RF PLASMA를 사용한 J.R ESC DECHUCK에 대하여 문의드립니다. [1] 1870
331 CVD CCP/ICP 사용간 Wafet Bias volt 줄어듬 현상 문의드려요 [1] 1861
330 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! 1855
329 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1831
328 RF FREUENCY 와 D/R 과의 상관 관계에 관한 질문입니다. [1] 1828
327 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] 1808
326 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1791
325 PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] 1783
324 플라즈마 실험을 하고 싶은 한 고등학생입니다.... [1] 1776

Boards


XE Login