Others 공정검사를 위한 CCD 카메라 사용
2004.06.19 16:42
만일 플라즈마의 on/off 상태를 알 고자 함이면 일반적인 CCD 카메라를 이용해서
감시할 수 있을 것이며 특별할 상태의 빛 파장대를 관찰하고자 한다면 이 주파수에
맞는 lenz와 filter등을 이용한 CCD를 사용하여야 합니다. 혹은 corona streamer
등을 측정하고자 한다면 수 mirosec의 변화를 관찰할 수 있는 intensified CCD를
사용하게 됩니다. 이때는 CCD의 time resolution이 문제가 되니 이점을 잘 고려
하여야 할 것입니다.
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76726 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20182 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57167 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68698 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92276 |
| 329 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1793 |
| 328 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1792 |
| 327 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1756 |
| 326 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1751 |
| 325 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1736 |
| 324 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1730 |
| 323 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1703 |
| 322 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1688 |
| 321 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1683 |
| 320 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1676 |
| 319 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1669 |
| 318 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1661 |
| 317 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1660 |
| 316 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1644 |
| 315 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1607 |
| 314 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1605 |
| 313 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1600 |
| 312 |
전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다.
[1]  | 1598 |
| 311 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1561 |
| 310 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1533 |