안녕하세요. CVD쪽에서 일하고 있는 신입사원입니다.

너무 궁금한게 있는데 CCP에서 파워가 증가 -> 전극의 전압증가 ->챔버내 전기장 증가 -> 챔버내 전자 가속

-> 전자밀도증가(2차전자 생성하므로) -> 플라즈마밀도 증가(전자뿐만아니라 이온, 라디컬 등등 생성되므로 )

-> 임피던스 감소


여기서 플라즈마밀도 증가시 왜 임피던스가 감소되는지 모르겠습니다.

그냥 단순하게 플라즈마 밀도 증가하면 전류가 잘통해서 임피던스가 감소한다고 생각해왔는데 다시생각하니 플라즈마 내부는

플라즈마밀도 증가시 전류가 더 잘흐른다고 보기보다는 

플라즈마밀도 증가시 분극이 더 잘되므로 임피던스가 낮아진다 고 봤는데


저희 선배님이 그건 아니라고 하셨거든요. 아무리생각해봐도 이부분의 메카니즘이 어떻게 되는지 모르겠습니다.


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