Monitoring Method charge effect에 대해
2019.03.20 11:10
안녕하세요
저는 SiO2 기판을 홀더 위에 두고 수소플라즈마를 띄워 실험을 진행하는데
이 기판이 부도체이다보니 기판에 전하가 빠져나가지 못하고 축적되는 것 같습니다.
이 기판의 charge effect를 챔버안 플라즈마를 띄운 상태에서 어떤 장비를 사용하여 실험적으로 어떻게 측정할 수 있는지 혹은 관련 논문이 있는지 알고싶습니다.
답변기다리고 있겠습니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76539 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91695 |
323 | wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] | 1770 |
322 | 터보펌프 에러관련 [1] | 1737 |
321 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1734 |
320 | ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] | 1716 |
319 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1696 |
318 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1688 |
317 | 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] | 1683 |
316 | 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] | 1677 |
315 | CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] | 1667 |
314 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1662 |
313 | Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] | 1655 |
312 | Pecvd 장비 공정 질문 [1] | 1637 |
311 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1630 |
310 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1617 |
309 | CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] | 1594 |
308 | 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] | 1587 |
307 | ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] | 1576 |
306 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1564 |
305 | O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] | 1550 |
304 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1518 |
부도체 표면 전위를 측정하기는 쉽지 않습니다. 대부분 경우 capacitively coupled 시켜, 즉 기판 홀더의 전위를 측정해서 예측하며 실제 self bias 값을 예상합니다. 관련해서 self bias 즉, 전하가 축적되어서 생긴 표면 전위에 대해서 자료를 찾아 보시면 위의 질문을 좀 더 구체적으로 전개해 나갈 수가 있겠습니다. self bias 현상은 본 게시판에 여러번 설명한 바 있으니 참고하시기 바랍니다.