Monitoring Method charge effect에 대해
2019.03.20 11:10
안녕하세요
저는 SiO2 기판을 홀더 위에 두고 수소플라즈마를 띄워 실험을 진행하는데
이 기판이 부도체이다보니 기판에 전하가 빠져나가지 못하고 축적되는 것 같습니다.
이 기판의 charge effect를 챔버안 플라즈마를 띄운 상태에서 어떤 장비를 사용하여 실험적으로 어떻게 측정할 수 있는지 혹은 관련 논문이 있는지 알고싶습니다.
답변기다리고 있겠습니다. 감사합니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75019 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18860 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56340 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66840 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88302 |
239 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1303 |
238 |
dbd-플라즈마 질문있어욤!!!!!
[1] ![]() | 1301 |
237 | CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] | 1295 |
236 | MATCHER 발열 문제 [3] | 1292 |
235 | EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] | 1285 |
234 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1275 |
233 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1270 |
232 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1261 |
231 | 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] | 1252 |
230 | DBDs 액츄에이터에 관한 질문입니다. [3] | 1242 |
229 | Depo시 RF 초기 Reflect 관련하여 문의드립니다. [1] | 1240 |
228 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 1229 |
227 | [질문] Plasma 장비에 대한 Monitoring 질문 [2] | 1226 |
226 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1205 |
225 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1179 |
224 | Langmuir probe의 위치에 관한 질문입니다. [3] | 1178 |
223 | PECVD 증착에서 etching 관계 [1] | 1173 |
222 | PECVD 증착시 온도, 기판의 종류의 영향에 대해서 질문드립니다! [1] | 1171 |
221 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1164 |
220 | ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] | 1157 |
부도체 표면 전위를 측정하기는 쉽지 않습니다. 대부분 경우 capacitively coupled 시켜, 즉 기판 홀더의 전위를 측정해서 예측하며 실제 self bias 값을 예상합니다. 관련해서 self bias 즉, 전하가 축적되어서 생긴 표면 전위에 대해서 자료를 찾아 보시면 위의 질문을 좀 더 구체적으로 전개해 나갈 수가 있겠습니다. self bias 현상은 본 게시판에 여러번 설명한 바 있으니 참고하시기 바랍니다.