Etch 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다.
2017.09.09 21:02
안녕하세요~ ETCH ENG'r 입니다.
몇가지 질문 드리려 가입했습니다.
1. W ETCH 시에 SF6 GAS를 이용하게 되는데 이 경우 WFx의 Radical이 발생하게 됩니다. 이 Radical이 특히 Chamber내에 Polymer를 많이 발생시키는 건지 궁금합니다. (옛날 논문을 참고해보면 이 공정 자체가 더러운 공정이라는 말이 있어서요..)
2. W ETCH 후 ISD 진행시에 NF3 Gas를 사용하는데 이게 어떤 반응식을 통해 Paticle 제거 효과를 보는건지 궁금합니다.
답변 달아주시면 감사하겠습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [234] | 75761 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19446 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56668 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68016 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 90275 |
237 | 플라즈마 관련 교육 [1] | 1202 |
236 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1179 |
235 | Plasma Cleaning 관련 문의 [1] | 1178 |
234 | Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] | 1174 |
233 | Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] | 1164 |
232 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1162 |
231 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 1152 |
230 | micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] | 1149 |
229 | 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] | 1129 |
228 | 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] | 1119 |
227 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1111 |
226 | 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] | 1110 |
225 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1106 |
224 | RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] | 1104 |
223 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1101 |
222 | 자기 거울에 관하여 | 1100 |
221 | RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] | 1098 |
» | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1098 |
219 | ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] | 1097 |
218 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 1096 |