안녕하세요. 저는 반도체 업종에서 근무하고 있습니다.

궁금한 점이 있어 질문드립니다.

Amorphous carbon 을 O2 분위기하에서 플라즈마 처리 할 경우 제거되는 지 궁금합니다.

또한 TIN 막을 H2 plasma 처리 할 경우 질소가 제거 된 TI가 되는 지 궁금합니다.

챔버 내 대기압 또는 진공상태가 위의 결과에 영향을 크게 미치는 지 궁금합니다.

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] 76726
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20178
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57166
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68697
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92275
269 ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 1323
268 플라즈마 진단에서 rogowski 코일 관련 질문 드립니다. [1] 1319
267 I-V characteristic에 관하여 질문이 있습니다. [1] 1318
266 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 1307
265 [CVD] 막 증착 관련 질문입니다. [4] 1294
264 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] 1291
263 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 1286
262 플라즈마 기초입니다 [1] 1281
261 ICP Chamber Type의 Belljar Arcing관련 문의드립니다. [2] 1272
260 임피던스 매칭 및 플라즈마 진단 [1] 1270
259 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1243
258 플라즈마 챔버 [2] 1241
257 RF Power 인가 시 Gas Ramping Flow 이유 [1] 1239
256 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] 1236
255 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 1226
254 반도체 관련 플라즈마 실험 [1] 1222
253 micro plasma에 사용되는 전력을 알고 싶습니다. [1] 1220
252 RF Generator 주파주에 따른 Mathcer Vrms 변화. [1] 1191
251 챔버 임피던스 변화에 따른 공정변화 [1] 1183
250 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1177

Boards


XE Login