Sheath LF Power에의한 Ion Bombardment

2021.06.24 22:36

PEOX 조회 수:670

안녕하십니까 교수님!!.

가입없이 게시판으로 많은 가르침을 받아가다가 이제서야 질문이 있어 가입후 글을 쓰게 되었습니다.

 

PECVD에서..

HF는 electron 온도 증가로 인한 plasma density 향상

 

LF POWER의 증가는 ion bombardment 를 증가시켜 박막이 더 dense 해져 stress가 더 compressive쪽으로 간다라고 이해하는게 맞는 걸까요? 

density가 높아지는데 compressive한 stress를 가진다고 하는 매커니즘이 잘 이해가 되질 않습니다.

(density가 높으면 (더 빽빽하게 증착되면) 밀려서 사이드쪽으로 늘어날려고 해서 compressive 스트레스를 가진다라고 혼자 이해했는데 맞는건지요.

 

막질의 density가 올라가면 compressive한 스트레스를 가지는게 항상 그런건지

(원래 Tensile한 막질이더라도 LF power 증가하면 Compressive한 방향으로 바뀌나요?)

 

아니면 막질마다 그 효과가 다른건지 궁금합니다. 

 

 

 

추가로 HF영역에서는 frequency가 높으니 유효질량이 작고 mobility가 빠른 electron에 에너지를 더 가해주기 쉽고 

반대로 LF영역에서는  frequency가 낮으니 상대적으로 질량이 크고 느린 ion에 에너지를 가해주기 쉽다고 이해하는게 맞는걸까요?

 

 

 

질문자체에 잘 못된 점이 있다면 바로 잡아주시면 감사하겠습니다!.  

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [102] 3671
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 15354
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 50581
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63008
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 82183
129 문의 드립니다. [1] 663
128 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 660
127 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 658
126 RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] 653
125 플라즈마 형성시 하전입자의 밀도와 챔버에 관련해서 질문드립니다. [2] 645
124 플라즈마 충격파 질문 [1] 641
123 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] 636
122 Plasma arcing 관련하여 문의드립니다. [1] 633
121 OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] 631
120 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 618
119 Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] 616
118 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 614
117 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 610
116 플라즈마 챔버 [2] 604
115 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 594
114 Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] 592
113 알고싶습니다 [1] 587
112 RF 전압과 압력의 영향? [1] 584
111 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 569
110 Collisional mean free path 문의... [1] 569

Boards


XE Login