Langmuir Probe Noise 문제, 탐침에 의한 식각 플라즈마의..
2004.06.19 17:00
1. Noise 문제는 RF ground 문제에서 야기되는 것 같습니다. RF grounding은 쉽지 않으며 글로도 쉽게 설명하기 어렵습니다만 일단 power line및 탐침 line의 shielding을 신경쓰고 load부분의 ground가 철저한가를 확인하기 바랍니다.
2. 탐침에 의한 식각 플라즈마의 진단 결과의 해석은 쉽지 않습니다. 탐침의 값이 무슨 의미인가를 찾아내기가 쉽지 않다는 말입니다. 일단 Ar 플라즈마와 Cl2 플라즈마는 그 성격이 매우 다릅니다. Ar 플라즈마는 탐침에 큰 손상을 미치지 않습니다만 Cl은 탐침팁의 corrosion을 야기시킵니다. 따라서 탐침을 sweeping을 하는 동안 Cl2 플라즈마 내에서 탐침 팁의 표면적은 계속 줄어들고 있을 것 입니다. 이는 측정 시간에 따라 같은 조건에서라도 탐침 전류 밀도가 줄어드는 경향을 보이게 됩니다. 이런 점을 보완하기 위해서 injection probe를 사용하기도 합니다. 순간적으로 탐침을 반응기 내에 넣었다가 빼면서 측정하는 방법입니다. 혹은 Cl 플라즈마는 Ar 플라즈마와 달리 음이온을 많이 발생합니다. 대부분의 7족 개스들의 전자 친화력이 좋아 쉽게 음이온으로 전환되는 경향이 있습니다. 이 음이온 발생은 power와 gas pressure에 함수가 됩니다. (저희 실험실 결과) 따라서 운전 압력이 높아지면 더 많은 음이온이 발생하고 특정 압력과 power에서 peak를 갖게 됩니다. (현재 저희 실험실에서ㅡㄴ Cl에 대한 자료는 없고 산소에 대한 자료는 저희가 얻어가고 있습니다. 곧 Cl에 관한 연구를 진행할 예정입니다.) 음이온의 발생은 대부분 전자의 흡착으로 형성되게 됨으로 음이온이 많이 발생하게 되면 플라즈마 내의 전자의 수는 상대적으로 줄어들게 되고 탐침의 전자 전류도 같이 줄어들게 됩니다. 이런 이유로 전자 전류로 부터 플라즈마 밀도를 분석하고 있다면 음이온 발생에 따라서 플라즈마 밀도가 작게 관찰될 수도 있습니다. 이 경우 이온 전류로 부터 플라즈마 밀도를 관찰하는 방법이 좋습니다.
2. 탐침에 의한 식각 플라즈마의 진단 결과의 해석은 쉽지 않습니다. 탐침의 값이 무슨 의미인가를 찾아내기가 쉽지 않다는 말입니다. 일단 Ar 플라즈마와 Cl2 플라즈마는 그 성격이 매우 다릅니다. Ar 플라즈마는 탐침에 큰 손상을 미치지 않습니다만 Cl은 탐침팁의 corrosion을 야기시킵니다. 따라서 탐침을 sweeping을 하는 동안 Cl2 플라즈마 내에서 탐침 팁의 표면적은 계속 줄어들고 있을 것 입니다. 이는 측정 시간에 따라 같은 조건에서라도 탐침 전류 밀도가 줄어드는 경향을 보이게 됩니다. 이런 점을 보완하기 위해서 injection probe를 사용하기도 합니다. 순간적으로 탐침을 반응기 내에 넣었다가 빼면서 측정하는 방법입니다. 혹은 Cl 플라즈마는 Ar 플라즈마와 달리 음이온을 많이 발생합니다. 대부분의 7족 개스들의 전자 친화력이 좋아 쉽게 음이온으로 전환되는 경향이 있습니다. 이 음이온 발생은 power와 gas pressure에 함수가 됩니다. (저희 실험실 결과) 따라서 운전 압력이 높아지면 더 많은 음이온이 발생하고 특정 압력과 power에서 peak를 갖게 됩니다. (현재 저희 실험실에서ㅡㄴ Cl에 대한 자료는 없고 산소에 대한 자료는 저희가 얻어가고 있습니다. 곧 Cl에 관한 연구를 진행할 예정입니다.) 음이온의 발생은 대부분 전자의 흡착으로 형성되게 됨으로 음이온이 많이 발생하게 되면 플라즈마 내의 전자의 수는 상대적으로 줄어들게 되고 탐침의 전자 전류도 같이 줄어들게 됩니다. 이런 이유로 전자 전류로 부터 플라즈마 밀도를 분석하고 있다면 음이온 발생에 따라서 플라즈마 밀도가 작게 관찰될 수도 있습니다. 이 경우 이온 전류로 부터 플라즈마 밀도를 관찰하는 방법이 좋습니다.
댓글 0
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [266] | 76683 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20152 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57157 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68677 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92193 |
247 | Plasma Ignition 시 Gas 사용에 대한 궁금증 요청드립니다. [1] | 1164 |
246 | PECVD Cleaning에서 Ar Gas의 역활 [1] | 1162 |
245 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1160 |
244 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 1158 |
243 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1154 |
242 | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1154 |
241 | RPSC 시 Pressure와 Throttle Valve Position의 관계 [1] | 1153 |
240 | O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 | 1152 |
239 | 공정플라즈마 [1] | 1145 |
238 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1143 |
237 | 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. | 1141 |
236 | 자기 거울에 관하여 | 1136 |
235 | 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] | 1130 |
234 | wafer bias [1] | 1127 |
233 | 전자 온도 구하기 [1] | 1123 |
232 | Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] | 1118 |
231 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 1114 |
230 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1113 |
229 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 1112 |
228 | 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] | 1107 |