Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미
2017.12.17 01:31
안녕하세요.
반도체 assembly 회사에서 근무하고 있습니다.
ICP / CCP 에서 coupled (결합) 란 의미가 plasma 관점에서 정확히 무엇인지 알수 있나요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [220] | 75427 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 19163 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56479 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 67556 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 89368 |
| 208 | wafer bias [1] | 1021 |
| 207 | 산소 플라즈마 처리 관하여 질문드립니다. [1] | 1019 |
| 206 | Wafer Warpage에 따른 CCP Type Chamber 내부 Impedance [1] | 1018 |
| 205 | 대학원 진학 질문 있습니다. [2] | 1007 |
| 204 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1004 |
| 203 | 플라즈마 코팅 [1] | 1001 |
| 202 |
고전압 방전 전기장 내 측정
[1]  | 988 |
| 201 | ICP lower power 와 RF bias [1] | 986 |
| 200 | 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] | 984 |
| 199 | 공정플라즈마 [1] | 984 |
| 198 | Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] | 983 |
| 197 | Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] | 977 |
| 196 | Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] | 967 |
| 195 | RF 반사파와 이물과의 관계 [1] | 967 |
| 194 | DC Plasma 전자 방출 메커니즘 | 961 |
| 193 | 리모트 플라스마 소스 AK 부품 수출 관련 질문 입니다 반도체 장비 부풉ㅁ | 960 |
| » | Plasma 에서 Coupled (결합) 의 의미 [1] | 959 |
| 191 | MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] | 947 |
| 190 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 946 |
| 189 | HEATER 교체 이후 SELF BIAS 상승관련 문의 [1] | 942 |
플라즈마 소스에서 coupled의 의미는 plasma 생성에 필요한 전자 가열을 위한 에너지 전달을 의미합니다. 즉 에너지 전달 메카니즘으로, inductively coupled 란 Faraday's induction law로 부터 시간 변화 자기력에 의한 기전력이 전가 가속을 시킴을 의미하며, capacitively coupled 의 의미는 diode 형태의 전극 사이에 형성되는 전기장으로 부터 전자 가속이 이뤄짐을 의미합니다. 이들 coupling 영역은 ICP에서는 skin depth 내에서, CCP에서는 sheath 경계에서 발생합니다. 아울러 인가 전력은 플라즈마 공간 내에서 Joule 가열로도 사용이 되므로, power coupling을 고려하면 전자 가열+줄 가열의 크기를 종합하여, 인가 전력의 플라즈마로의 전력 전달을 의미하는 표현이라 할 수 있고, 그 효율에 대해서 보다 관심을 크게 갖게 됩니다. 본 게시판에서 CCP/ICP/ plasma breakdown 등의 내용을 살펴 보시기 바랍니다.