안녕하세요 제가 ICP-RIE로 SIO2를 식각하는 과정에서 나머지 변수는 모두 똑같고 (CF4+He gas) RF power를 올려서 식각했는데 측정결과 RF power를 올렸음에도 식각률이감소했습니다. 왜 이러한 결과가 나왔는지 그 이유에 대해 혹시 설명해주실수 있을까요? ㅠㅠ

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [126] 5571
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16853
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51343
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64184
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 84145
130 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] 688
129 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] 687
128 플라즈마 충격파 질문 [1] 674
127 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 670
126 N2 / N2O Gas 사용시 Plamsa 차이점 [1] 665
125 Uniformity 관련하여 문의드립니다. [1] 665
124 DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] 652
» ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] 645
122 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 645
121 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 638
120 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 636
119 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 634
118 전자 온도 구하기 [1] file 621
117 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 619
116 Plasma Cleaning 관련 문의 [1] 610
115 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 605
114 플라즈마 관련 교육 [1] 604
113 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 604
112 Collisional mean free path 문의... [1] 603
111 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 595

Boards


XE Login