안녕하세요.

저는 Etch 장비를 개발하는 설계 엔지니어 입니다.

궁금한게 있어 문의 드립니다.

열은 기본적으로 높은데서 낮은데로 이동한다고 알고 있습니다.

예를 들어  Vacuum Chamber(Etching) 내에서 Chamber의 Top면을 100도로 히팅하고 Side쪽을 80도로 히팅하고 

Wafer를 Chucking하는 ESC를 50도로 히팅한다고 하면  열의 이동이 top -> side -> esc로 이동을 합니다.

(단, 여기서 Pump는 Close라고 가정합니다.)

그러면 Etching하고 난 Byproduct의 이동도 열의 이동과 같은 방향으로 움직일까요?

혹시 맞다면 어떤 이유로 그렇게 되는지 설명을 부탁드립니다.

제가 이부분에 대해 좀 더 공부하고 싶은데 어느 부분을 공부해야 하는지 조언 부탁드릴께요.

감사합니다.




번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
27 O2 etch 후 polymer 변성에 관한 문의 file 1146
26 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1133
» Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1107
24 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1045
23 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1026
22 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 965
21 Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] 951
20 RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] 835
19 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
18 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
17 Polymer Temp Etch [1] 635
16 플라즈마 샘플 위치 헷갈림 [1] 598
15 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 594
14 Chamber 내 Pressure와 Fluid Density, Residence Time 거동 [1] file 535
13 AlCu Dry Etch시 Dust 잔존문제 455
12 remote plasma 를 이용한 SiO2 etching 질문드립니다. [1] 440
11 애칭 후 부산물의 양을 알고 싶습니다. [1] 381
10 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 2 381
9 텅스텐 Plasma Cleaning 효율 불량 [1] 353
8 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 353

Boards


XE Login