안녕하세요?

 

장비업체에서 근무하고 있는 엔지니어 입니다.

 

최근 저희가 개발하고 있는 플라즈마 소스가 이상한 특성을 보여서 문의드립니다.

 

저희가 개발하고 있는 Source는 원통형 ICP Plasma Source인데 Load Impedance 값을 살펴보면,

 

Power가 증가함에 따라서 실저항 값이 높아지고 (3@100W ~ 40옴@5000W)

 

복소수 값은 파워가 증가함에 따라서 감소하고 파워가 감소하면 증가됩니다.

 

그리고 몇몇 논문에서 보면 Power가 증가함에 따라서 위상차가 서서히 증가하는데

 

저희는 위상차가 서서히 감소됩니다.

 

이것을 어떻게 해석해야 할지 모르겠습니다.

 

제 생각에는 파워가 증가하면 실저항 성분이 감소하고 리액턴스 성분이 증가할것 같은데...... .

 

위 현상을 어떻게 해석해야 하는지와 보통 플라즈마 소스가 올바르게 동작하는 경우가 어떤지와 왜 이런 차이가 있는지가 궁금합니다.

 

답변 주시면 감사하겠습니다. 

 

 

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
743 플라즈마 온도 27734
742 DBD란 27693
741 플라즈마 상태와 RF MATCHING관계 문의 사항 27589
740 플라즈마 챔버 의 임피던스 관련 [2] 27205
739 이온과 라디칼의 농도 file 26950
738 self bias (rf 전압 강하) 26675
737 공정챔버에서의 아킹 및 노이즈 문제... [2] 26454
736 dechucking시 Discharge 불량으로 Glass 깨짐 [3] 26125
735 충돌단면적에 관하여 [2] 26110
734 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 26024
733 스퍼터 DC 파워의 High 임피던스가 무슨 의미인가요? 25579
732 PECVD 매칭시 Reflect Power 증가 [2] 24979
731 스퍼터링에서 DC bias의 감소 원인이 궁금합니다.. 24850
730 Reflrectance power가 너무 큽니다. [1] 24827
729 RF 플라즈마 챔버 내부에서 모션 구동 [1] 24762
» ICP Source에서 RF Source Power에 따른 위상차와 임피던스 변화 문의 [1] 24735
727 H2/O2 플라즈마에 대해서 질문드립니다. 꼭 답변점... [1] 24636
726 plasma와 arc의 차이는? 24536
725 반도체 CVD 공정의 ACL공정에서 RF Reflect Power에 관하여 여쭤보고 싶습니다. file 24528
724 플라즈마가 불안정한대요.. 24508

Boards


XE Login