안녕하세요.

반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.

 

텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,

SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,

SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.

텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데

해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서

Etchrate 를 높이기 위해서는

 

SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.

추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.

 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] 5798
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 17210
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 53021
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 64471
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 85086
118 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] 655
117 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 647
116 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 640
115 코로나 전류가 0가까이 떨어지는 현상 [1] 630
114 Collisional mean free path 문의... [1] 627
113 RF Antena와 Matcher 間 상관관계 문의드립니다. [1] 626
» 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다. [1] 621
111 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] 613
110 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] 606
109 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] 606
108 Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] 601
107 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] 598
106 ICP 후 변색 질문 598
105 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 596
104 MFP와 Sheath 관련하여 추가 질문 드립니다. [1] 593
103 IMPEDANCE MATCHING PATH에서 S/H ~ MATCHER 간 전력전송 방법들에 대해 문의드립니다. [2] 587
102 ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] 584
101 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 582
100 교수님 질문이 있습니다. [1] 580
99 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 574

Boards


XE Login