Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소
2022.03.24 15:39
안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다.
최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.
RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다.
가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.
감사합니다.
댓글 1
-
김곤호
2022.04.17 09:41
DC 바이어서 혹은 Self Bias 주제어로 검색해 보시기를 추천드립니다. Self bias는 타킷이 가진 capacitor 성질에 따라서 표면에 플라즈마 전자들의 하전량에 의해 결정되게 됩니다. 여기서 cap 성질이라면 타킷의 양면, 즉 전력이 인가되는 chuck 표면의 전위와 타킷과 사이의 간극이 갖는 축전용량과 타킷 물질의 축전용량으로 크게 구성이 될 것 같습니다. 따라서 wafer chucking 에서 큰 변화가 없고 bias 전압이 바뀌고 있다면 chucking 특성의 변화, 즉 wafer 간극의 변화에 의해 cap이 바뀐 상태가 아닌가 의심이 됩니다. 만일 간간이 이런일이 일어난다면 chucking 상태를 감시해 보는 것도 방법일 것 같고, 또는 chucking이 잘 되고 있는지의 판단 자료로서 활용도 가능할 것 같습니다.
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] | 76538 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20076 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57115 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68613 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 91694 |
204 | 전자 온도에 대한 질문이 있습니다. [1] | 999 |
203 | 아래 382 번 질문에 대한 추가 질문 드립니다. [1] | 982 |
202 | CCP Plasma 해석 관련 문의 [1] | 971 |
201 | Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] | 965 |
200 | Tungsten 표면 Contamination 제거(실명재등록) [1] | 964 |
199 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 959 |
198 | RF tune position 과 Vrms의 관계가 궁금합니다 [1] | 959 |
197 | O2 Plasma 에칭 실험이요 [1] | 952 |
196 | 플라즈마를 이용한 오존 발생기 개발 문의 件 [1] | 951 |
195 | Sticking coefficient 관련 질문입니다. [1] | 950 |
194 | 상압플라즈마 제품 원리 질문드립니다 [2] | 949 |
193 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 948 |
192 | 3-body recombination 관련 문의드립니다. [2] | 940 |
191 | 플라즈마 기초에 관하여 질문드립니다. [1] | 934 |
190 | Shield 및 housing은 ground 와 floating 중 어떤게 더 좋은지요 [2] | 923 |
189 | 플라즈마 구에서 나타나는 현상이 궁금합니다. [1] | 911 |
188 | Plasma Generator 관련해서요. [1] | 905 |
187 | O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] | 878 |
186 | Dry Chamber VPP 변동 관련 질문입니다 [1] | 862 |
185 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 860 |