Others RPC CLEAN 시 THD 발생
2018.10.25 14:48
안녕하세요 반도체 장비업체에서 일하고 있는 사람입니다.
현재 저희 설비에 2개의 CHAMBER가 달려 있습니다. RPC CLEAN을 사용하는 장비인데
두 CH가 동시에 CLEAN이 동작하게되면 공급단 POWER 관련하여 지속적인 ERROR 가 발생을 합니다.(따로 진행시 문제 없음)
고조파 측정시 2개의 CH가 동시에 CLEAN 진행시 높아지는 현상을 발견 하였으나, 그 원인을 찾기 힘들어 질문 드립니다.
POWER CABLING이 의심 되는 상황이나, CABLE 길이 및 위치, 혹은 말림 정도가 영향이 있는지 문의 드리고, 혹시 이 외에 다른 원인을 추측할만한 내용이 있을지 질문 드립니다.
현재 CABLE 연결 상태 및 POWER SUPPLY(설비단) 교체 등 다른 방법을 진행 해 보았으나, 현상이 동일하게 발생하여 설비단 보다는 공급단쪽 POWER를 의심하고 있는 상태 입니다.
혹시 이 글과 관련된 경험이 있으신분은 답변 부탁 드리겠습니다.
감사합니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [268] | 76712 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20169 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57164 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68692 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92268 |
| 188 | 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다. [1] | 868 |
| 187 | RF 전압인가 시 LF와 HF 에서의 Sheath 비교 [1] | 868 |
| 186 | 문의 드립니다. [1] | 866 |
| 185 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 862 |
| 184 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 854 |
| 183 | RF MATCHING 관련 교재 추천 부탁드립니다 [1] | 853 |
| 182 | PPV(플라즈마 용융 유리화)에 관해 질문드립니다. [1] | 845 |
| 181 | 연면거리에 대해 궁금합니다. [1] | 843 |
| 180 | RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다. [1] | 842 |
| 179 | 매쳐 출력값 검토 부탁 드립니다. [1] | 839 |
| 178 | ICP Dry Etch 진행시 정전기 발생에 관한 질문입니다. [1] | 831 |
| 177 | 플라즈마 장치 관련 기초적 질문입니다. [1] | 823 |
| 176 | RF 파워서플라이 매칭 문제 | 814 |
| 175 | Self bias 내용 질문입니다. [1] | 814 |
| 174 | 방전수 활성종 중 과산화수소 측정에 관련하여 질문드립니다. [1] | 812 |
| 173 | ECR ion source에서 plasma가 켜지면 RF reflect가 심해집니다. [2] | 806 |
| 172 | 플라즈마용사코팅에서의 carrier gas [1] | 804 |
| 171 | DBD Plasma Actuator 원리에 대한 질문입니다. [1] | 800 |
| 170 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 800 |
| 169 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 793 |
제 생각에는 2개의 chamber가 cross talk을 하는 것 같습니다. Rf shield 와 ground 부분의 강화가 필요하지 않을까 합니다만,
경험자 및 전문가의 의견을 기다리겠습니다.