ICP ICP lower power 와 RF bias

2023.01.18 19:04

eehcl12 조회 수:1404

안녕하세요 ICP 식각 장비를 이용해 실험을 진행하고 있는 학부생입니다. 현재 제가 사용하는 ICP 장비에 RF upper power, RF lower power, RF bias [Vpk] (v) 라는 파라미터가 존재합니다. 제가 알고 있는 바로는 Upper power는 Coil에 걸리는 파워로 플라즈마 생성 용도라고 생각을 했고, lower power는 이온의 에너지, 충격을 이용하기 위한 용도라고 생각을 했습니다. 하지만 RF bias는 무슨 용도로 사용이 되는 것인지 궁금해서 질문을 드립니다.

또한 절연체 층을 식각할 때는 RF bias를 가하고, 메탈 층을 식각할 때는 RF bias를 가하지 않는데 어떤 이유인지 궁금합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [265] 76539
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20076
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57115
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68613
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 91695
143 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 692
142 플라즈마 절단시 C와 N의 결합가능성 [2] 689
141 center to edge 문제를 극복하기 위한 방법 [1] 686
140 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 677
139 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [1] 676
138 접착력을 위한 플라즈마 처리 관련 질문입니다 [1] 672
137 RF 주파수에 따른 차이점 [1] 669
136 플라즈마 진단 공부중 질문 [1] 668
135 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 661
134 RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] 650
133 RF magnetron sputtering시 플라즈마 off현상 [1] 650
132 analog tuner관련해서 질문드립니다. [1] 650
131 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] 649
130 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] 638
129 Polymer Temp Etch [1] 635
128 Dusty Plasma의 진단에 관해서 질문드립니다. [1] file 633
127 RPC CLEAN 시 THD 발생 [1] 628
126 주파수 변화와 Plasma 온도 연관성 [1] 617
125 플라즈마 기본 사양 문의 [1] 614
124 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 601

Boards


XE Login