Sheath 안녕하세요. 플라즈마 기체분자종에 따른 기판charing정도차이 문의 [Self bias]
2017.05.17 14:41
안녕하세요. 저는 플라즈마 공정 관련 일을 하고 있습니다. 플라즈마 공정으로 인한 substrate의 charing문제로
두 가지 질문이 있어 글을 게시하게 되었습니다.
첫째는
O2만 넣고 플라즈마 했을 때 / H2만 넣고 플라즈마 처리를 했을 때
대상 substrate의 대전된 양의 정도가 H2만 넣었을 때가 더 심한 것으로 보입니다.(검증은 하지 못했음)
그래서 플라즈마 공정 中 측정되는 Vdc 값에 주목을 하였는데, H2만 넣었을 때 MFC에서 공급 된 유량도 더 적게하고
RF power도 더 적게해도 Vdc값이 O2 only보다 굉장히 높게 뜹니다. 제가 알기로는 Vdc값은 기판에서 형성 된 전위에 의해
측정되는 값으로 알고 있습니다. 여기서 O2 only plasma보다 H2 only plasma의 Vdc값이 현저히 높다는 것은
기판에 대전 된 전하의 양이 더 많다고 생각할 수 있을지에 대하여 문의드리려고 합니다.
둘째는
플라즈마 공정이 끝나고 substrate의 charing정도를 측정하는 기술과 설비들이 있는지가 궁금합니다.
관련내용에 대해 조언 부탁드립니다. 감사합니다 김곤호 교수님.
-플라즈마종사자 드림-
아마도 self bias 현상에 대해서 공부를 해 보시면 풀이 방향을 찾으실 수 있으실 것 같습니다 Self bias에 대해서는 소개한 바가 있으니 기 내용을 참고해 보시면 좋을 것 같습니다. 아울러 산소는 음이온을 잘 만드는 가스이며 수소는 플라즈마 방전이 쉽지 않은 가스임을 참고하면 좋을 것 같습니다.
그리고 제가 알기로 표면의 하전량을 측정하는 장치가 있다는 이야기는 들었습니다만 실제 현장에서 적용이 가능한 센서로서 개발된 바에 대해서는 알지 못합니다. 다만 substrate 전체의 charging 특성은 self bias 안정화 시간으로 부터 유추해 볼 수는 있을 것이며, 이는
chuck 전체 bias 시스템의 RC 특성에 기인한다고 볼 수 있겠습니다. 정밀한 관리, 즉 아마도 펄스 운전 등을 위해서는 이 자료는 필요할 것으로 사료됩니다.