안녕하세요. 반도체 장비회사에 재직중인 직장인 입니다.

O2 plasma 관련 글을 검색하다가, O2 plasma 에는 음이온이 다수 존재하여 Matching 조건이 다른 Plasma 와 조금

다를 수 있다는 내용을 보았는데요..


현재 O2 Plasma 를 사용하는 Ashing 공정에서 ESC 를 인가하는 조건과 인가하지 않는 조건 간에 Matching trend 가 매우

다른 현상이 발견되고 있습니다. ESC 에 인가되는 + DC Power 와 음이온 발생 분위기와 어떠한 상관 관계가 있는지 궁금

합니다. 실제로 ESC 에 인가되는 +DC 전압이 Chamber 내부의 음이온 발생 정도와 관계가 있을 수 있는지요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [113] 4910
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 16244
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 51250
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 63754
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [2] 83570
619 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. 23040
618 Arcing 23011
617 CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. 23008
616 OES 원리에 대해 궁금합니다! [1] 22950
615 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? 22950
614 self Bias voltage 22864
613 No. of antenna coil turns for ICP 22770
612 DC glow discharge 22770
» 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. 22703
610 plasma와 arc의 차이는? 22614
609 고온플라즈마와 저온플라즈마 22584
608 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) 22553
607 [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] 22547
606 [질문] Plasma density 측정 방법 [1] 22382
605 MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] 22379
604 floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [1] 22362
603 pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] 22333
602 Dry Etcher 에 대한 교재 [1] 22296
601 Peak RF Voltage의 의미 22143
600 Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] 22072

Boards


XE Login