반응기의 형태를 가늠하기가 어렵고 sputter경험이 적어 뭐라 말씀드리기가 힘듧니다. 하지만 일반적으로 다음 경우를 고려 해보는 것이 좋을 것 같습니다.
아킹은 플라즈마 내에서 시편이나 물체의 일부에 전하가 쌓이면서 발생하게 됩니다. 이는 ground로 전하들이 잘 빠져 나가지 못하기 때문인데 이런 현상을 야기하는데는 많은 원인이 있을 것 입니다. 특히 부도체 등의 타겟이나 시편을 사용할 때는 더욱 심하게 이런 현상이 발생하게 됩니다. 일부 연구는 이렇게 집중된 전하를 중화하려는 노력으로 pulse mode 운전을 대안으로 주장하기도 합니다. 하지만 본 문제에도 적용될 수 있는가는 많이 생각해 보아야 할 것 같습니다. 또한 시편 혹은 캐리어 혹은 플라즈마 반응기 내의 물체에 전위를 바꾸고자 하는 시도에는 다음사항을 명심해야 할 것입니다. 일단 플라즈마와 접하거나 내부에 들어있는 물체의 전위를 변화시키면 플라즈마는 당연히 이에 대한 반응을 하게 됩니다. 이런 반응에는 프라즈마 자신의 전위가 바뀌거나 밀도가 바뀌는 변화를 이루는데 이는 삽입 물체들의 표면적의 크기가 플라즈마를 둘러싸고 있는 표면적과 비교하여 아주 작다면 크게 문제가 되지 않을 수 있습니다. 여기서 아주 작다는 표현을 정량적으로 쓰기는 어렵지만 적어도 1/100이하면 좋을 것 같습니다. 왜냐하면 플라즈마 자신의 전위는 벽으로 빠져나가는 전자와 이온의 양에 따라 스스로 조절이 됩니다. 따라서 구조적으로  이들이 빠져 나가는데 나름대로 갖고 있던 균형이 깨지기 시작하면 공간내으이 플라즈마 전위는 변할 수 밖에 없습니다. 이런점을 참고하여 반응기 내부의 개조나 삽입되거나 플라즈마와 접촉하고 있는 물체의 전위를 조절하여야 할 것 입니다.