Others wafer 전하 소거: 경험 있습니다.
2004.06.25 16:44
te8500에서 금속재질의 four-pin으로 dechucking을 시키는 경우도 있구요...이것은 쉽구요...back면 acring만 제어해주면 됩니다.
저도 부도체 재질의 four-pin사용시 gas만으로 dechucking이 가능한지 궁금했습니다.
dechucking을 위해서 plasma을 생성시 원하지 않는 etch가 되기때문에 risk가 있습니다.
저희 교수님께 문의한 결과 고압에서 gas flow만으로도 충분히 wafer의 전하를 chamber wall 로 전달할수 있다고 하시던데요...
댓글 0
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [143] | 5832 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 17287 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 53125 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 64504 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 85117 |
| 598 | CCP 에서 Area effect(면적) ? | 20994 |
| 597 |
F/S (Faraday Shield)
 | 20987 |
| 596 | 플라즈마란? | 20936 |
| 595 |
전자파 누설에 관해서 질문드립니다.
[1] | 20927 |
| 594 | 대기압플라즈마 진단 | 20927 |
| 593 | ICP 플라즈마 매칭 문의 [2] | 20921 |
| 592 | ccp-icp | 20816 |
| 591 | UBM 스퍼터링 장비로... [1] | 20731 |
| 590 |
IEDF EQP에 대한 답변
| 20699 |
| 589 | plasma cleanning에 관하여.... | 20668 |
| 588 | 교재구입 | 20650 |
| 587 | 압력과 플라즈마 크기의 관계가 궁금합니다. [1] | 20598 |
| 586 | RF plasma에 대해서 질문드립니다. [2] | 20575 |
| 585 | 이온주입량에 대한 문의 | 20567 |
| 584 | Three body collision process | 20500 |
| 583 | Lissajous figure에 대하여.. | 20449 |
| » | wafer 전하 소거: 경험 있습니다. | 20375 |
| 581 | 확산펌프 | 20360 |
| 580 | Langmuir probe tip 재료 | 20263 |
| 579 | RIE장비 에서 WALL 과 TOP 온도 | 20257 |