Sheath 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다.
2019.04.11 13:18
안녕하세요. 플라즈마 물리를 공부하고 있는 학생입니다.
쉬쓰천이지역쪽을 살펴보는데 이해가 안가는 부분이 있어서 질문올립니다.
쉬쓰천이지역에서 이온의 속도를 구할 때 왜 전자의 온도를 적용하는지 모르겠습니다.
제가 사용하는 교재에는 맥스웰볼츠만식에서의 속도는 이온의 온도에 의존하는 반면에 이 쉬쓰에 들어오는 이온의 속도는 이온의 온도가 아닌 전자의 온도에 의존하므로 속도가 빨라진다. 라고만 쓰여있는 그 이유에 대해서 언급이 안되어 있습니다.
왜 그런지 알 수 있을까요?
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [182] | 75012 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 18856 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 56336 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 66833 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 88284 |
| 91 | 플라즈마 rotational temperature에 관해서 질문드릴게 있습니다. [1] | 1382 |
| 90 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1352 |
| 89 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 1349 |
| 88 | 강의를 들을 수 없는건가요? [2] | 1328 |
| 87 | 플라즈마 내에서의 현상 [1] | 1303 |
| 86 | PECVD 공정 진행중 chamber wall 부분에서 보이는 plasma instability 관련 질문 드립니다. [1] | 1302 |
| 85 | O2 plasma etching 관련 질문이 있습니다. [1] | 1270 |
| 84 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 1259 |
| 83 | RF 전압과 압력의 영향? [1] | 1202 |
| 82 | 플라즈마 기초입니다 [1] | 1179 |
| 81 | glow 방전 현상과 플라즈마 현상에 궁금하여 글 남깁니다. [2] | 1163 |
| 80 | 플라즈마 입자 운동 원리(전자기장에서) [1] | 1137 |
| 79 | 플라즈마의 직진성에 관해 질문드립니다. [2] | 1120 |
| 78 | 플라즈마에서 가속 전압 또는 RF 파워 관련 질문드려요. [1] | 1104 |
| 77 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1090 |
| 76 | 자기 거울에 관하여 | 1065 |
| 75 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1062 |
| » | 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] | 1055 |
| 73 | standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] | 1035 |
| 72 | Group Delay 문의드립니다. [1] | 1022 |
플라즈마 공학을 공부하다 보면 기초 물리 현상을 소개하는 부분에서 소개된 ambipolar diffusion (양극성확산)을 공부해 보세요. 아울러 본 게시판에서 쉬스와 양극성 확산에 대해서 여러번 소개가 되어 있으니 참고가 될 것 입니다. 질문은 플라즈마가 갖는 거동 특성이라 생각하면 좋습니다.