질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:92951 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [283] 77227
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20468
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57362
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68903
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92951
124 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1150
123 [RIE] reactive, non-reactive ion의 역할 [1] 2568
122 O2 Asher o-ring 문의드립니다. [1] 908
121 Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] 2336
120 Matcher의 효율에 대한 내용에 대해서 궁금합니다. [1] 1410
119 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1110
118 Plasma etch관련 질문이 드립니다. [1] 1261
117 질문있습니다 교수님 [1] 22222
116 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1780
115 안녕하세요. O2 plasma etching에 대해 궁금한 것이 있습니다. [1] 6832
114 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3703
113 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3067
112 전자기장 및 유체 시뮬레이션 관련 [1] 554
111 압력, 유량과 residence time에 대해 질문있습니다. [1] 2027
110 PECVD Precursor 별 Arcing 원인 [1] 3388
109 ICP, CCP 그리고 Ion Implantation 공정 관련 질문 드립니다. [1] 1211
108 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2903
107 PEALD관련 질문 [1] 32657
106 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1094
105 기판 위에서 Radical의 운동역학에 관하여 질문드립니다. [2] 745

Boards


XE Login