질문하실 때 실명을 사용하여주세요.

2010.11.25 15:38

관리자 조회 수:103095 추천:380

플라즈마에 관심있으신 모든 분이 활용하고 플라즈마의 지식을 공유할수 있는 공간을 제공한다라는 원칙을 갖고 있습니다. 따라서 의견을 개진 하실 때는 자신의 이름을 분명히 밝혀주셔야 합니다. 그럼으로써 서로 알고 있는 플라즈마의 지식을 자유롭게 공유할 수 있을 것 입니다. 이 사항을 협조하여 주지기 바랍니다. 본인의 이름을 밝히지 않는 사람의 의견은 일주일 이내에 내용이 삭제됩니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [329] 98213
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 23856
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 60534
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 72403
» 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 103095
832 PEALD 챔버 세정법 [1] 71
831 RF BIAS REDLECT POWER HUNTING 문제 [1] 118
830 RF ROD 연결부 부하로 인한 SHUNT, SERIES 열화 [2] file 156
829 HF와 LF중 LF REFLECT POWER가 커지는 현상에 대해서 도움이 필요합니다. [2] 238
828 III-V 반도체 에칭 공정 문의 [1] 365
827 CCP 장비 하부 전극 dc 펄스 전력 [1] 253
826 DC Arc Plasma Torch 관련 문의 [1] 204
825 Wafer 영역별 E/R 차이에 대한 질문 [Gas flow system vs E/R] [1] 322
824 동일한 RF방전챔버에서 화학종별 이온화율에 대한 질문 [1] 168
823 ESC 사용 공정에서 Dummy Wafer Chuck Force 에 대해서 궁급합니다 [1] 621
822 liquid plasma 공부 방향에 대해서 알고싶습니다. [1] 353
821 ICP 장비 TCP Reflect 발생 간 조언 부탁드립니다. [1] 408
820 RF플라즈마에서 quasineutral에 대해 궁금한게 있어 질문글 올립니다.[quasineutral] [1] file 500
819 챔버의 Plasma density 확인방법 문의드립니다. [플라즈마 모니터링, OES, LP] [1] 657
818 ICP/CCP 플라즈마 식각 공정 개발 [Plasma sheath 및 Plasma generation] [1] 777
817 HF PLASMA DEPOSITION 시 POWER에 따른 DEP RATE 변화 [장비 플라즈마, Rate constant] [1] 406
816 인가전압과 ESC의 관계 질문 [Floating sheath] [1] 499
815 Dielectric Etcher(CCP)에서 사용하는 주파수 [Plasma frequency 및 RF sheath] [2] 614
814 ICP에서 biasing 질문 [RF sheath와 self bias] [1] 549
813 가스 조성 및 온도에 따른 식각률 관련 질문입니다. [Arrhenius equation 이해] [1] 399

Boards


XE Login