안녕하세요 OLED 증착 전 Plasma 전처리 장비를 다루고 있는 엔지니어 입니다.

GAS 주입후 RF 제너레이터에서 파워를 인가할때 최초 반사파또한 공급파워의 80%이상반사되는 현상이 발생중입니다.

Load Tune 값은 크게 변하지 않는 상태이며 최초 공급시 1sec 정도반사파가 크게 나타나다가 빠르게 안정화 되고 있습니다.

이러한 문제의 원인이 어디에 있는지 공부를해서 찾는중인데 쉽지가 않네요 도움주실만한 것이 있을까 해서 여쭙습니다.

좋은 하루 되세요.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76897
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57206
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68760
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
419 CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] 2302
418 sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지 [1] 2333
417 Wafer particle 성분 분석 [1] 2335
416 플라즈마 세라믹코팅후 붉은 이유는? 2336
415 플라즈마 깜빡임에 대해 질문이 있습니다. [1] 2343
414 교수님 안녕하세요, icp 관련 질문이 있습니다. [2] 2343
413 PRECOATING 공정에서 SHOWERHEAD <-> STAGE HEATER 간 GAP 과 DEPO 막질의 THK 와의 연관성.... [1] 2346
412 Etch공정(PE mode) Vpp 변동관련. [1] 2346
411 RF 주파수와 공정 Chamber 크기의 상관관계 [1] 2357
410 임피던스 실수부에 대해 궁금한 점이 있습니다. [4] 2358
409 DRY Etcher Alram : He Flow 관점 문의 드립니다. [1] 2361
408 Ta deposition시 DC Source Sputtreing 2362
407 CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] 2365
406 Ar과 O2 plasma source에 따른 ignition condition에 대하여 질문 있습니다. [1] 2368
405 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] 2369
404 RPS를 이용한 SIO2 에칭 [1] 2402
403 plasma etching을 관련 문의드립니다. [1] 2437
402 RF/LF에 따른 CVD 막질 UNIFORMITY [1] 2452
401 Load position 관련 질문 드립니다. [1] 2457
400 안녕하세요. 교수님 ICP관련하여 문의드립니다. [2] 2495

Boards


XE Login