안녕하세요 반도체 장비회사에서 이제 막 배우기 시작한 신입사원입니다.

평소에 홈페이지에서 도움을 많이 얻었지만 학습 중 궁금한게 있어 여쭤봅니다.


제목 그대로 Edge Ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 글 남깁니다.


Edge Ring을 사용하는 이유가 Wafer Edge에서 형성되는 Sheath Region의 영향을 받아 Ion의 방향성이 수직으로 입사하지 않고 틀어진다고 알고있습니다.

그렇다면 Chamber 상부의 전극을 Control 하여 Wafer Edge에서 Ion 방향성 제어를 한다면 Edge Ring 없이 구현 가능하지 않을까 해서 글 남깁니다.

인터넷에 수없이 찾아봤지만 Edge Ring 없이 구현하는 ESC 관련 자료는 없기에 불가능 할것 같긴 합니다.

Edge Ring을 사용하는 이유가 위의 이유 이외에 다른것이 있는 것인지도 궁금합니다.



1. 상부 전극을 제어하여 Wafer Edge 부분에서 Ion 방향성을 제어한다면 Edge Ring 없이 구현가능한지 궁금합니다.


2. 위에 언급한 이유 외에 Edge Ring을 사용하는 다른 이유가 혹시 존재하는지 궁금합니다.


너무 두서없이 질문한것 같아 죄송합니다. 감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77301
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20498
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68946
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
390 PR wafer seasoning [1] 2719
389 플라즈마 압력에 대하여 [1] 2746
388 PE 모드와 RIE 모드에서 쉬스 구역에 대한 질문 [1] 2839
387 임피던스 매칭회로 [1] file 2853
» Edge ring 없이 ESC를 구현 가능한지 궁금해서 여쭤봅니다. [2] 2873
385 HF/F2와 silica 글래스 에칭율 자료가 있을까요? 2909
384 VI sensor를 활용한 진단 방법 [2] 2923
383 [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] 2933
382 HF+LF 사용 중. HF Power 증가 시 Deposition Rate 감소 현상 문의 [1] 2950
381 RF matcher와 particle 관계 [2] 3055
380 Plasma etcher particle 원인 [1] 3076
379 고온의 플라즈마와 저온의 플라즈마의 차이 [1] 3079
378 Plasma 에칭 후 정전기 처리 [3] 3080
377 Gas flow rate에 따른 etch rate의 변화가 궁금합니다. [1] 3087
376 아르곤이나 기타 플라즈마 토치에 소량의 수증기를 집어넣으면 온도가 떨어지는 현상에 대해서 3168
375 M/W, RF의 Plasma에 의한 Ashing 관련 문의드립니다. [1] 3207
374 CVD 공정에서의 self bias [1] 3225
373 matcher, ESC, Heater에 대해 질문 드립니다. [3] 3255
372 electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] 3286
371 Matcher의 Load/Tune Position 거동에 관해 질문이 있습니다. [2] 3348

Boards


XE Login