Process 플라즈마 이용 metal residue 제거방법 문의드립니다.
2021.02.26 13:20
안녕하세요 교수님
반도체 후공정 회사를 다니고 있는 직장인입니다.
공정 진행 후 leakage test 결과 leakage current가 높게 나온 문제점이 발생하였습니다.
내부 엔지니어 문의 결과 O2 descum공정이 metal residue를 없애는데 도움을 준다는 답변을 받았습니다.
따라서 추가적으로 O2 descum을 진행했지만, leakage 문제는 개선되지 않았습니다.
metal residue를 없애기 위해 다른 가스(Ar, H2N2, CF4 등)를 이용한 플라즈마가 더 효과적인지 알고싶어 질문드립니다.
혹은, leakage를 개선할 수 있는 방법이 있다면 조언해주시면 감사드립니다.
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77073 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20387 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57297 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68844 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92849 |
| 600 | CCP에서 접지된 전극에 기판을 놓았을 때 반응 [1] | 1001 |
| 599 | Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] | 1795 |
| 598 | [Etching 공정 중 wafer를 고정하기 위해 사용되는 Ring관련] [3] | 2859 |
| 597 | 매칭시 Shunt와 Series 값 [1] | 1907 |
| 596 | RF Power와 균일도 연관성 질문드립니다. [2] | 3400 |
| 595 |
구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다.
[1]  | 226 |
| 594 | CCP에서 전극에 쌓이는 막질에 의한 Capacitance 변화가 궁금합니다 [1] | 2373 |
| 593 | low pressure 영역에서 아킹이 더 쉽게 발생하는 이유에 관해 문의드립니댜. [1] | 1373 |
| 592 | 안녕하세요? 임피던스 매칭관련 질문드립니다. [1] | 2392 |
| 591 | electron energy distribution에 대해서 질문드립니다. [2] | 3261 |
| 590 | 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다. [1] | 939 |
| 589 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2030 |
| 588 | RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] | 3931 |
| 587 | 플라즈마 챔버 [2] | 1270 |
| 586 | Decoupled Plasma 관련 질문입니다. [1] | 1065 |
| 585 | 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] | 3668 |
| 584 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 793 |
| 583 | 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] | 1683 |
| 582 | ICP-RIE etch에 관해서 여쭤볼것이 있습니다!! [1] | 1388 |
세정 공정 개발로 보입니다. 사내의 세정 전문가와 논의하시면 좋을 것 같습니다. 장비 및 공정의 특성을 가장 잘 아시는 분과 논의가 필수적입니다. 아래 580번 설명도 참고해 보시면 좋을 것 같습니다. 너무 걱정하시지 마시고 하나씩 찾아 가시면 담당하신 챔버의 특성을 곧 이해하실 것입니다.