안녕하세요. ICP 타입 Dry Etcher 장비사에서 근무하는 엔지니어입니다.

 

효율적이고 안정적인 매칭을 위해 Matcher 의 Matching Network 구성을 변경시키곤 합니다.

 

여기서 궁금한 점이 생겨 교수님께 문의 드립니다.

 

1. 플라즈마 안정화시 [기존 Matcher + Chamber] 의 임피던스가 8+j5 라고 가정했을때,
 Matcher 의 L 또는 C의 H/W를 변경시켜도 [Matcher + Chamber] 가 동일하게 8+j5 값을 갖도록 Tune / Load 가 움직이는지

 아니면 기존과 다른 [Matcher + Chamber] 임피던스 값을 갖게 되는지 궁금합니다.
 ※ 변경 전/후 모두 플라즈마는 안정적

 

2. Matcher Matching Network 구성 변화가 임피던스 범위 변동 외에 플라즈마 방전시 챔버 임피던스에 영향에 주는지
 ※ 오직 Matcher 구성만 변경된것으로 가정

 

이론적으로 어떻게 접근/해석해야하는지 도움 부탁드립니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77310
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20506
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57415
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68958
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92990
490 Matcher의 Load, Tune 영향을 미치는 요소가 궁금합니다. [2] 6334
489 자료 요청드립니다. [1] 6214
488 모노실란(SiH4) 분해 메카니즘 문의 6144
487 코로나방전, 이온풍 관련 문의 드립니다. [1] file 6129
486 SiO2를 Etching 할 시 NF3 단독 보다 O2를 1:1로 섞을시 Etching이 잘되는 이유 [1] file 6035
485 안녕하세요. ICP 플라즈마의 임피던스를 측정하는 방법에 대해서 문의를 드립니다. [3] 5993
484 OES를 활용한 excitation temperature 분석 질문입니다. [1] 5959
483 RF calibration에 대해 질문드립니다. 5894
482 RF Vpp 관련하여 문의드립니다. [1] 5727
481 ESC Chuck 기능이 Wafer 위에서의 Chemical Bond 생성을 boosting 할 수 있는지 궁금합니다. [1] 5664
480 DRAM과 NAND에칭 공정의 차이 [1] 5529
479 SiO2 식각 위한 Remote Plasma Source관련 질문 드립니다. [1] 5504
478 CCP 설비에서 Vdc, Vpp과 Power에 대해 문의드립니다. [1] file 5417
477 RF power에 대한 설명 요청드립니다. [1] 5251
476 매쳐에서의 load, tune에 대하여 좀 가르쳐 주세요~ [1] 5156
475 Sheath 길이와 전자의 온도 및 MFP간의 관계에 대해 질문 드립니다. [1] 4903
474 챔버내 Arcing 발생 개선안에 대해 질문드립니다. [3] 4654
473 ESC 사용하는 PVD 에서 Center tap bias의 역할 4402
472 플라즈마 색 관찰 [1] 4370
471 Dry Etching Uniformity 개선 방법 [2] 4354

Boards


XE Login