Plasma in general self bias
2023.03.13 16:58
self bias에 대한 개념을 교수님 말씀 읽고 숙지하였습니다 .감사합니다.
그렇다면 교수님, self bias의 정의를 두 전극에 RF바이어스를 가했을 시,면적의 차이 등으로 인해 두 전극에 나타나는 전위차로 설명하는 것은 잘못된 설명인가요?
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77138 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20424 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57334 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68872 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92896 |
722 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22791 |
721 | [질문] Plasma density 측정 방법 [1] | 22706 |
720 | pulse plasma 측정을 위한 Langmuir probe 사용 방법 관련.. [1] | 22640 |
719 | Peak RF Voltage의 의미 | 22628 |
718 | MATCHING NETWORK 에서 BACKWARD BIAS 가 생성되는 이유가 무엇 입니까? [3] | 22585 |
717 | Dry Etcher 에 대한 교재 [1] | 22559 |
716 | Dry Etcher 내 reflect 현상 [2] | 22264 |
715 | remote plasma에 대해 설명좀 부탁드립니다. [1] | 22254 |
714 | 질문있습니다 교수님 [1] | 22207 |
713 | 플라즈마의 발생과 ICP | 22160 |
712 | 플라즈마 코팅에 관하여 | 22103 |
711 | 플라즈마 온도 질문 + 충돌 단면적 | 22011 |
710 | 펄스바이어스 스퍼터링 답변 | 21961 |
709 | 플라즈마내의 전자 속도 [1] | 21927 |
708 | glass 기판 ICP 에서 Vdc 전압 | 21779 |
707 | manetically enhanced plasmas | 21663 |
706 | 스퍼터링시 시편두께와 박막두께 [1] | 21628 |
705 | ccp-icp | 21561 |
704 | 대기압플라즈마를 이용한 세정장치 | 21547 |
703 | F/S (Faraday Shield) | 21532 |
그 설명도 의미는 있어요. 이상적으로 동일한 두개의 부도체 전극에 같은 크기의 RF 바이어스가 걸리고, 플라즈마는 어떻게 해서 생겨 전극 사이에 놓여 있는 경우라면, 두개 전극에는 같은 크기와 같은 전위 크기의 쉬스가 형성되겠지요. 만일 면적이 다르다면, 면적에 반비례해서 서로 다른 쉬스특성의 쉬스가 생기겠고, 면적비에 반비례해 해서 쉬스전위 크기가 형성될것이고, 플라즈마전위는 공유하니, 차이가 나는 것은 표면 전위의 차이로 나타나겠지요. 이 경우에는 표면 전위, 즉 self bias 값이 서로 다르게 형성되게 되는데, 그 이유는 이온속에 차이만큼의 전자속의 변화가 있어야 하므로, 충전되는 하전량의 차이가 생겼기 때문입니다.
따라서 강의에서 들으신 설명에 대해서 저도 동의합니다.