안녕하세요 대학원생 석사 과정을 밟고 있는 위창현입니다.

질문드리고 싶은 내용은 다름이 아니라 corona phase와 같은 특수한 경우 ionization ratio인 ion number density와 neutral particle number density의 비가 electron impact ionization rate coefficient와 radiative recombination rate coefficient의 비로 표현할 수 있게 되고, 전자의 밀도와 연관이 없는 것으로 식이 나타내지게 되는데, 플라즈마에서는 플라즈마의 전하가 quasi neutral을 띠기 때문에 전자의 수와 이온의 수가 같은 것을 알 수 있습니다.

질문은 quasi neutral상태의 ionization ratio에서 ion number density대신 electron number density를 쓰면 안되는 이유는 뭔가요?

 

number density의 개념이기 때문에, 전자의 온도가 이온의 온도보다 매우 높은 비평형 플라즈마에서는 electron number density가 ion number density보다 높기 때문에 ionization ratio에서 ion number density를 사용하는 것인가요?

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] 76895
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20286
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57205
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68758
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92719
719 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
718 [재질문]에칭에 필요한 플라즈마 가스 [1] 675
717 ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다ICP BIPOLAR ESC 관련 이론과 Chuck Force 계산 질문드립니다 [1] file 835
716 Ashing 공정에 필요한 O2 plasma에 대해 궁금한 점이 있습니다. [1] 1454
715 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 286
714 안녕하세요 CLEAN GAS 관련 질문이 있습니다. [1] 451
713 RIE 식각공정중 발생하는 가스를 예측할 수 있는 메카니즘에 대해 질문하고싶습니다. [1] 363
» corona model에 대한 질문입니다. [1] 171
711 플라즈마 제균 탈취 가능 여부 [1] 217
710 plasma 공정 중 색변화 [1] 646
709 ISD OES파형 관련하여 질문드립니다. [1] 447
708 PEALD 장비에 관해서 문의드리고 싶습니다. [1] 410
707 ICP Dry Etch 설비 DC bias Hunting 관련 질문드립니다. [1] 626
706 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 324
705 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1057
704 OES를 통한 공정 개선 사례가 있는지 궁금합니다. [1] 609
703 self bias [1] 546
702 Self bias 내용 질문입니다. [1] 852
701 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] 727
700 챔버 시즈닝에 대한 플라즈마의 영향성 [1] 627

Boards


XE Login