Ion/Electron Temperature Non-maxwellian 전자 분포의 원인

2024.04.07 17:40

김준서 조회 수:232

안녕하십니까, 교수님. 전자과 3학년 학부생입니다.

최근 탐침에 대해 관심이 생겨 공부하던 중, EEDF(EEPF)라는 개념을 접하게 되었는데, 궁금한 부분이 있어 질문 드립니다.

 

공정에 쓰이는 저온 플라즈마의 경우, 입자간 충돌이 상대적으로 적어 입자간 열평형을 이루지 않고, 전자의 경우 maxwellian 분포를 가정한다고 알고있었습니다.

최근 읽은 자료에 따르면,  공정 플라즈마는 non-maxwellian인 경우가 많고, 이는 logEEPF의 기울기를 통해 알 수 있다고 합니다.

 

1. LogEEPF의 기울기라 함은, 전자온도를 의미하는데, 전자 에너지의 대푯값인 전자온도가 두가지인 것이 무엇을 의미하는 것인지 궁금합니다.

2. Non maxwellain 분포가 발생하는 원인이 궁금합니다. 개인적인 생각으로 하나의 원인은, 고에너지의 전자는 쉬스의 voltage barrier을 뚫고 들어가 가열되므로 고에너지 전자의 전자온도(기울기)가 증가한다고 생각했습니다.

 

감사합니다.

이 게시물을
목록
목록
번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 76978
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20331
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57251
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68800
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92794
61 Massbalance equation 에서 P(t) 유도과정 342
60 플라즈마 에너지가 온도를 높혀주는 역할 [1] 336
59 RIE Gas 질문 하나 드려도될까요? [1] 330
58 RF sputter 증착 문제 질문드립니다. [1] file 326
57 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] 326
56 Plasma 장비 소재 특성 관련하여 문의드립니다. [1] 325
55 E-field plasma simulation correlating with film growth profile [1] 325
54 Edge ring의 역할 및 원리 질문 [1] 320
53 RIE 설비 관련 질문 좀 드려도 될까요? [1] 304
52 플라즈마 밀도와 라디칼 [1] 294
51 메틸기의 플라즈마 에칭 반응 메커니즘 [1] 289
50 RF 스퍼터 관련 질문이 있습니다. [1] 276
49 gas에 따른 deposition rate 및 저항질문 있습니다 [1] 271
48 Etch Plasma 관련 문의 건.. [1] 267
47 대기압 플라즈마 문의드립니다 [1] 260
46 GWP(Global warming potential)에 따른 Etch gas 변화에 대한 질문 [1] 257
45 Compressive한 Wafer에 대한 질문 [1] 238
» Non-maxwellian 전자 분포의 원인 [1] 232
43 Cu migration 방지를 위한 스터디 [1] 232
42 구 대칭으로 편광된 전자기파를 조사할 때에 대한 질문입니다. [1] file 226
쓰기
태그

Boards

XE Login