안녕하세요 세종대학교에 재학중인 학부생 김지현 입니다.

저는 방학동안에 연구실에서 실험을 배우는 중입니다. 저희 연구실은 그래핀에 대해 연구하는 곳입니다.

제가 photo lithography를 배우는 과정중에  산소 플라즈마 처리를 사용하는데, 플라즈마가 무엇인지 궁금하여 공부중입니다.

plasma etching에 대해 찾아보던중에 사용하는 기체들이 용도에 따라서 다른데 그 차이점들을 알고 싶습니다,

그래핀을 O2 플라즈마에서 처리하는데 왜 O2를 사용하는지 궁금합니다. 즉 O2플라즈마의 특성에 대해 궁금합니다. 

그리고 질소플라즈마와 아르곤 플라즈마의 특성과 차이점이 무엇인지 궁금합니다. 

질문이 다소 복잡해서 다시 정리하자면 플라즈마 에칭 공정을 할때 용도에 따라 다른 기체들을 사용하는데, 어떠한 특성때문에 

다른지 궁금합니다. 


감사합니다. 

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] 77059
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20378
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57290
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68835
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92836
341 ICP 내부 기체 비율에 따른 spectrum intensity 변화 [1] 1866
340 N2 Blowing Ionizer 사용 시 궁금점 질문 드립니다. [1] 1825
339 wafer 두께가 증가함에 따라 Er이 급격하게 떨어지는 현상 [1] 1824
338 Edge ring과 플라즈마 밀도 균일성 [1] 1794
337 ICP와 CCP에서의 Breakendown voltage [1] 1775
336 터보펌프 에러관련 [1] 1773
335 CVD품질과 RF Delivery power 관계 질문 [1] 1763
334 CCP기반 power와 Etch rate 관계에 대해 여쭈어드립니다. [3] 1717
333 압력 변화와 Ch Impedance 상관관계 질문 [1] 1714
332 다중 주파수를 이용한 플라즈마 식각에서 이온 에너지 제어 관련 [1] 1711
331 RF 전압과 압력의 영향? [1] 1698
330 EEDF, IEDF, Cross section관련 질문 [1] 1686
329 안녕하세요 교수님. ICP관련하여 문의드립니다. [1] 1683
328 Pecvd 장비 공정 질문 [1] 1682
327 Ar/O2 ICP 플라즈마 관하여 [1] 1675
326 standing wave effect에 대한 질문이 있습니다. [1] 1666
325 ICP reflecot power 관련 질문드립니다. [1] 1635
324 CCP에서 전자밀도증가 -> 임피던스 감소 과정 질문있습니다. [3] 1635
323 전극에 따른 힘의 크기 질문드립니다. [1] file 1617
322 O2 플라즈마 클리닝 관련 질문 [1] 1570

Boards


XE Login