안녕하세요. s전자 송용재입니다.

ICP type 챔버과련 문의 드립니다.

1. RF source power(상단)를 인가하게 되면 전기장이 절연체를 통해 투과하여 plasma가 형성이 됩니다.

   책을 보면 플라즈마내 이온의 에너지는 거의 없고 , 전자는 가속이 된다고 하는데..

   전자만 전기장에 영향이 있는건가요?? 아님 전자의 mobility영향에 따른 상대적인 표현인건가요?

2. 저희 회사의 장비는 endura model icp type RF 장비를 사용하고 있습니다.

    RF bias power쪽은 generator - matcher - chamber 로 power가 들어오는데

    RF source power는 generator - resonator - chamber 로 power전달이 됩니다.

    resonator로 source power부분의 reflect power를 조정하는데 어떤 원리로 조정이 가능한건지 궁금합니다.

    오래된 장비다보니 관련 자료를 업체에서 얻을수도 없네요..

    resonator tap이라는걸 이용해 Coil에 감겨있는 거리에 따라 reflect power가 변한다고 하는데 원리를 모르겠습니다.