Sputtering sputtering gas에 따른 플라즈마 데미지
2017.10.02 14:13
안녕하세요.
해외에서 박사과정을 하고 있는 학생입니다.
RF스퍼터로 reactive sputtering을 통해 유전층을 증착하는 실험을 하는데요.
저희연구실에서는 스퍼터링 가스로 Ar/Kr를 사용하고 있습니다.
학부때는 Kr이 Ar보다 질량이 커서 sputtering yield가 증가한다 정도로만 배웠는데, ion bombardment energy 가 작기 때문에 플라즈마 데미지가 줄고, 더 좋은 막질이 형성된다고 하더라구요.
논문을 조금 찾아봤는데 스퍼터링 가스에 대한 연구는 오래전에 진행되었는지 최근논문들을 찾아보기 힘들더라구요.
그냥 단순히 생각했을 때 질량이 크면 충돌하는 에너지도 크고, 데미지가 더 셀 것 같은데 Kr 등의 가스가 Ar보다 플라즈마 데미지가 적은 원리에 대해 설명을 부탁드려도 될까요?
감사합니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [278] | 76897 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20286 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57205 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68759 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92719 |
439 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2016 |
438 | chamber impedance [1] | 2018 |
437 | 식각 시 나타나는 micro-trench 문제 [1] | 2025 |
436 | 플라즈마 에칭 과 표면처리 의 차이점 질문드립니다. [1] | 2026 |
435 | RPG Cleaning에 관한 질문입니다. [2] | 2035 |
434 | doping type에 따른 ER 차이 [1] | 2074 |
433 | Al Dry Etch 후 잔류 Cl 이온 제어를 위한 후처리 방법 [1] | 2084 |
432 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2086 |
431 | ESC 표면 온도랑 식각률의 차이가 어떤 관계로 있는걸까요?? [1] | 2102 |
430 | 플라즈마 self bias 값과 압력, 파워의 상관관계에 대해 질문이 있습니다. [1] | 2146 |
429 | 플라즈마 관련 기초지식 [1] | 2151 |
428 | 양극 코로나 방전에 대한 질문입니다. [1] | 2179 |
427 | Etch 공정 Dummy 사용이유가 뭔지 알 수 있을까요? [1] | 2248 |
426 | 부도체를 타겟으로 한 플라즈마 형성 원리 [1] | 2250 |
425 | 플라즈마볼 제작시 [1] | 2251 |
424 | ECR 플라즈마에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2265 |
423 | etching에 관한 질문입니다. [1] | 2274 |
422 | N2 Plasma 상태에 대해서 질문 드립니다. [1] | 2277 |
421 | RF frequency와 다른 변수 상관관계 질문 | 2288 |
420 | Dry etch 할때 센터와 사이드 etch rate [1] | 2300 |