Etch RIE 공정시에 형성되는 두 효과를 분리해 보고 싶습니다.
2018.08.30 15:30
안녕하세요~.
저는 KIST에서 고분자 나노패턴을 연구하고 있는 손정곤 입니다.
RIE를 사용하면서 항상 블랙박스와 같이 루틴하게만 에칭을 위해 사용하고는 했는데, 궁금한 점이 있어 질문 드리게 되었습니다.
RIE 시에 형성되는 플라즈마로 인하여, 일반적인 substrate에는
1. 플라즈마로 인한 E-field가 걸리는 곳에 이온화된 기체 원자가 직접 부딪히며 생기는 효과와
2. reactive한 radical 형태의 중성 입자가 날라와서 반응하는 효과,
2. 플라즈마로 인하여 형성되는 빛, 그러니까 plasma UV/vacuum UV (VUV) photoemissions로 생기는 효과
세 가지가 동시에 영향을 미칠 것으로 생각됩니다.
이 경우에, 3번의 형성되는 빛으로 인한 효과는 막으면서 1,2 번의 ion과 radical의 효과만 얻는 방법이 있을 지 궁금합니다.
개인적인 생각은 grating mask(complementary filter?)를 교차로 설치하여 빛의 투과는 막으며 이온과 라디칼은 흘러가서 샘플을 때리게 하고 싶은데,
그렇다면 이 샘플위에 부양시켜 설치하려는 grating mask는 부도체여야 하는지 도체여야 하는지, 도체라면 아래의 RF 전극과 연결되어야 하는지, 아니면 grounding이 되어야 하는 지 등등이 궁금합니다.
grating mask가 도체면 RIE의 geometry가 변형되어 e-field 등이 변하고 ion의 움직임도 변할 것 같아 질문드립니다.
여기에서 많은 것들을 배워갑니다. 감사드립니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77103 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20405 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57314 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68854 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92870 |
641 | ICP 후 변색 질문 | 739 |
640 | 반도체 METAL ETCH 시 CH4 GAS의 역할. [1] | 739 |
639 | 플라즈마 진단 OES 관련 질문 [1] | 742 |
638 | 정전척의 chucking voltage 범위가 궁금합니다. [1] | 743 |
637 | 주파수 증가시 플라즈마 밀도 증가 [1] | 743 |
636 | O2 플라즈마 사용에 대한 질문을 드립니다. | 745 |
635 | Ion과 Radical의 이동 거리 및 거리에 따른 농도와 증착 품질 관련 [1] | 751 |
634 | RPS를 이용한 유기물 식각장비 문의 [1] | 762 |
633 | RF 주파수에 따른 차이점 [1] | 762 |
632 | 코로나 전류에 따른 발생되는 이온의 수와, 하전에 영향을 미치는 요소에 대해서 질문드립니다 [1] | 763 |
631 | 안녕하세요 OLED 증착 시 궁금한점이있어 문의드립니다 [2] | 767 |
630 | 교수님 질문이 있습니다. [1] | 770 |
629 | Hollow Cathode glow Discharge 실험 관련해서 여쭤보고싶습니다. [1] | 777 |
628 | OES를 이용한 Gas Species 정량적 분석 방법 [1] | 789 |
627 | 새집 증후군 없애는 플러스미 - 플라즈마에 대해서 [1] | 793 |
626 | 플라즈마 용어 질문드립니다 [1] | 793 |
625 | Collisional mean free path 문의... [1] | 797 |
624 | 플라즈마 충격파 질문 [1] | 807 |
623 | RF Frequency 가변과 FORWARD POWER의 상관관계 [2] | 811 |
622 | Si Wafer에 Plasma를 처리했을때 정전기 발생 [1] | 814 |