안녕하세요 저는 RF Plasma 관련 직종에 근무하는 직장인 입니다.

 RF generator에서 Frequency tuning (주파수 가변)  기능을 사용하고 있는데, 주파수 변화에 따라서 Matcher에서 읽혀지는 Vrms 값이 심하게 변화하는것을 확인하였습니다.

Frequency 높아질수록 (13.56Mhz 기준) Vrms 높아짐 / Irms 큰변화 없음 / Phase 높아 지는데, 왜 Frequency 변화에 따라 Vrms와 Phase가 변하고, Irms는 큰 변화가 없는 것일까요?

주파수에 따른 Vrms, Irms, Phase의 연관성을 알수 있을까요.

조언 부탁드립니다.



번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] 77151
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20432
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57337
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68884
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92905
462 RF chamber에서.. particle(부유물) 와 RF reflect power연관성 [1] 4244
461 SiO2 박말 밀도와 반응성 간 상관 관계 질문 [1] 4177
460 RPSC 관련 질문입니다. [2] 4078
459 ICP plasma에서 RF bias에 대한 문의가 있습니다 [2] 4041
458 Deposition 진행 중 matcher(shunt,series) 관계 질문 [3] 3999
457 HF + LF 사용 중, LF와 POWER와의 관계에 대한 질문입니다. [1] 3997
456 Plasma 식각 test 관련 문의 [1] 3981
455 the lines of magnetic  induction are frozen into the perfectly conducting material에 대한 질문 [1] file 3979
454 RIE에서 O2역할이 궁금합니다 [4] 3959
453 DC스퍼터링과 RF스퍼터링에서의 처음 전자의 출처와 처음 이온의 생성 질문 [2] 3860
452 진공장치 챔버내 산소 또는 수분 제거 방법에 대해 [1] 3847
451 CCP/ICP 의 플라즈마 밀도/균일도 에 대해서 질문이 있습니다. [3] 3830
450 Descum 관련 문의 사항. [1] 3764
449 Vpp, Vdc 측정관련 문의 [1] 3736
448 ICP-RIE process 및 plasma에 대해 질문있습니다. [2] 3689
447 플라즈마 임피던스와 Vpp가 관련이 있나요? [1] 3679
446 dry etching중 온도, 진공도, glass상태에 따라 chucking force가 변화하는지요? [1] 3601
445 CCP 구조가 ICP 구조보다 Arcing 발생에 더 취약한가요? [3] 3591
444 Plasma Etch시 Wafer Edge 영향 [1] 3582
443 ESC Cooling gas 관련 [1] 3578

Boards


XE Login