Process 타겟 임피던스 값과 균일도 문제
2021.02.18 00:14
안녕하세요.
반도체 관련 업계에서 근무중인 직장인입니다.
타겟은 Al2O3 산화막으로 덮혀 있는 상태이고, 타겟에 걸리는 캐패시턴스 또는 임피던스가 달라
플라즈마 발생시 각각의 밀도 차이로 산화코팅막이 낮게 증착될 수 있는지요
답변 부탁드리겠습니다.
감사합니다.
댓글 1
| 번호 | 제목 | 조회 수 |
|---|---|---|
| 공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [279] | 77095 |
| 공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20401 |
| 공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57310 |
| 공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68852 |
| 공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92866 |
| 81 | Dry Etch장비에서 Vdc와 Etch rate관계 [1] | 22787 |
| 80 | floating substrate 에서 sheath 형성 과정 의문점 [2] | 22860 |
| 79 | 안녕하세요. O2 Plasma 관련 질문좀 드리겠습니다. | 22953 |
| 78 | CCP/ICP , E/H mode | 23085 |
| 77 | 입력전력에 따른 플라즈마 밀도 변화 (ICP/CCP) | 23111 |
| 76 | No. of antenna coil turns for ICP | 23126 |
| 75 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 23163 |
| 74 | DC glow discharge | 23272 |
| 73 | CCP 방식에 Vdc 모니터링 궁금점. | 23278 |
| 72 | HVDC Current '0'으로 떨어지고, RF Bias Reflect (RF matching이 깨지는 현상) 발생 | 23348 |
| 71 | 광플라즈마(Photoplasma)라는 것이 있는가요? | 23424 |
| 70 | 플라즈마 물리학책을 읽고 싶습니다. | 23470 |
| 69 | N2 플라즈마 공정 시간에 따른 Etching rate의 변화 이유가 알고 싶어요 [2] | 23781 |
| 68 | Arcing | 23864 |
| 67 | 플라즈마 쉬스 | 23975 |
| 66 | plasma and sheath, 플라즈마 크기 | 23994 |
| 65 | self Bias voltage | 24107 |
| 64 | 플라즈마에 관해 질문 있습니다!! | 24126 |
| 63 | Dechucking 시 wafer 상의 전하 문제 | 24201 |
| 62 | [질문] ICP plasma 를 이용하여 증착에 사용하고 있는데요. [3] | 24372 |