Plasma in general 안녕하세요 플라즈마의 원초적인 개념에서 궁금한 점이 생겨서 질문드립니다.
2021.04.02 18:08
안녕하세요,
현재 스퍼터 장비를 사용하기에 앞서 플라즈마에 대해 공부하고 있는 서울대학교 대학원생입니다.
스퍼터 장비에서 사용되는 DC,RF파워간의 차이, reative, magnetron을 사용하는 이유와 과정에 대해 전반적으로 공부하고 이해하는 과정에서
가장 원초적인 궁금증이 생겼고, 이에 대한 명쾌한 답을 찾을 수 없어서 질문드립니다.
Q1) 챔버내에서 타겟,기판,고온 조건이 없더라도 방전기체를 넣어주고 파센의법칙에 의해 계산된 전기장을 가해주면 플라즈마를 발생시킬 수 있다고 알고 있고, 실제로 발생하는 것을 확인하였습니다. 그렇다면 폐쇄된 강의실에 매우 강한 전기장을 가해준다면 실제로 강의실에 플라즈마가 생기는 것을 확인 할 수 있나요? 없다면 왜 그런지 알고 싶습니다. (폐쇄되었다는 조건외에는 별다른 조건이 없습니다)
Q2) 플라즈마 발생 과정에서 source가 되는 seed electron은 진공상태여도 챔배내에 존재하게 되는데 도데체 이 seed electron은 정확히 어디서, 어떻게 생겨났으며, 챔버내에서 어떤식으로 존재하게 되는건가요?
(저는 그저 cosmic rays에 의해 생겨난 전자가 자연상태를 돌아다니까 챔버내에서도 당연하게 존재한다고만 알고 있습니다.)
짧지 않는 글 읽어주셔서 감사합니다. 또한 답변주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77138 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20425 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57335 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68873 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92897 |
622 | RF 전류가 흐르는 Shower head를 TC로 온도 측정 할 때 [1] | 881 |
621 | CCP plasma에서 gap과 Pressure간의 상관관계 [1] | 2321 |
620 | 데포 중 RF VDC DROP 현상 [1] | 1542 |
619 | OES 분석 관련해서 질문드립니다. [1] | 1430 |
618 | CF3의 wavelength가 궁금해서 질문드립니다. [1] | 722 |
617 | anode sheath 질문드립니다. [1] | 1017 |
616 | 안녕하세요. Plasma etch rate에 관하여 질문이 있습니다. [1] | 739 |
615 | 플라즈마를 통한 정전기 제거관련. [1] | 733 |
614 | RF 케이블 발열 현상관련 문의 드립니다. | 1476 |
613 | CVD (CCP) 공정의 Chamber seasoning과 플라즈마 밀도 [1] | 2029 |
612 | 라디컬의 재결합 방지 [1] | 817 |
611 | LF Power에의한 Ion Bombardment [2] | 2117 |
610 | PECVD와 RIE의 경계에 대해 [1] | 1495 |
609 | 전자 온도 구하기 [1] | 1164 |
608 | 공정 진행 중 의도적인 섭동 효과에 대해서 질문 드립니다. [1] | 326 |
607 | CVD 공정에서의 self bias [1] | 3190 |
606 | PP & PET 친수성과 접착성 유지 질문입니다. [1] | 3341 |
605 | 잔류시간 Residence Time에 대해 [1] | 1151 |
604 | 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 답변 정말 감사합니다! | 1872 |
603 | ESC Polymer cracking 제거를 위한 ISD 공정 문의 | 1454 |