Etch 텅스텐 Etch 관련하여 질문드립니다.
2021.10.22 11:47
안녕하세요.
반도체 제조회사에 재직중인 엔지니어입니다.
텅스텐(W) Etch 을 하고자 하는데,
SF6를 Main Gas로 사용하고자 하는데,
SF6이외에 O2,N2,Ar 을 혼합하여 사용한 논문을 찾을 수 있었습니다.
텅스텐 하부에는 TiN Silicide Layer가 있는데
해당 TiN Silicide 에 Damage를 적게 주고 Loading Effect 가 적은 조건에서 Etch을 하면서
Etchrate 를 높이기 위해서는
SF6+N2 / SF6+Ar 중에 어떤 Gas 조건이 더 효과가 있는지 궁금합니다.
추가로 식각시 어떤 차이점이 있는지 알려주시면 감사하겠습니다.
댓글 1
번호 | 제목 | 조회 수 |
---|---|---|
공지 | [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [280] | 77175 |
공지 | Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 | 20452 |
공지 | 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. | 57350 |
공지 | kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 | 68888 |
공지 | 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] | 92925 |
223 | ICP 식각에 대하여... | 16937 |
222 | 플라즈마 처리 | 16938 |
221 | ESC Chuck Pit 현상관련 문의 드립니다. | 16969 |
220 | 형광등으로 부터 플라즈마의 이해 | 17015 |
219 | RF에 대하여,, | 17064 |
218 | Light flower bulb | 17082 |
217 | PSM을 이용한 Radical측정 방법 | 17091 |
216 | 플라즈마를 이용한 발광시스템에 관한 연구 | 17091 |
215 | [re] H2/O2 혼합 플라즈마에 관련 질문 입니다. | 17212 |
214 | Electrode 의 역할에 대해서 궁금합니다. | 17358 |
213 | 고온플라즈마와 저온플라즈마 | 17464 |
212 | RF 변화에 영향이 있는건가요? | 17515 |
211 | 유전체 플라즈마 | 17572 |
210 | 안녕하세요 반도체 공정 중 용어의 개념이 헷갈립니다. [1] | 17613 |
209 | 불꽃이 쫒아오는 이유 | 17621 |
208 | 플라즈마와 자기장의 상호작용 | 17630 |
207 | 충돌 | 17717 |
206 | Plasma Dechuck Process가 궁금합니다. | 17719 |
205 | RF Power에 따라 전자온도가 증가하는 경우에 대하여 궁금합니다. [1] | 17766 |
204 | 플라즈마에서 전자가 에너지를 어느 부분에서.. | 17777 |