이전 질문글에 댓글이 달리지 않아 새로 글을 작성하게 되었습니다.

 

이전 질문 글의 어디가 틀렸고 어디가 맞았는지 꼼꼼하게 짚어주셔서 정말 감사드립니다.
답변해 주신 글을 읽다 보니 더 질문점이 생겨서 댓글 작성합니다.

 

 

1) 비충돌성 쉬스와 충돌성 쉬스를 구분하는 기준은 무엇인가요? 

 

- MFP(Lamda)와 CCP 반응기 두 극판 사이의 거리(l) 비교 : Lamda << l
- MFP(Lamda)와 쉬스 두께 비교 : Lamda << Sheath Thickness

 

 

 

2) 이전 질문글의 답변에 Ar의 MFP를 0.01~0.005 mm 라고 답변해 주셨는데 어떻게 계산 된건지 궁금합니다.


MFP(Lamda)를 구하는 공식을 다음과 같이 알고 있습니다.

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma)
N_g = (n * N_A) / V = P * N_A / (R * T)

 

N_g : 단위 부피 당 원자 수
Sigma : Ar의 Cross section
n : 몰 수
N_A : 아보가드로 수
V : 부피
P : 압력 = 2000 mTorr
R : 기체상수 = 62.363 m^3*mTorr/(K*mol)
T : 온도 = 673 K

 

위 값들을 대입하여

 

N_g = 2.87*10^22 m^-3

 

이 나왔습니다.

 

2T 및 5T의 공정에서 Vrms는 113ev 수준으로 비슷했고 따라서

 

http://plasma.kisti.re.kr/index.jsp 에서 Ar의 Total Ionization Cross section, Total Scattering Cross section 중 에너지가 110ev 즈음의 산란 단면적을 찾아봤습니다.

 

Ionization 2.5*10^-16 cm^2 = 2.5*10^-20 m^2
Scattering 8*10^-16 cm^2 = 8*10^-20 m^2
Excitation 0.7*10^-16 cm^2 = 0.7*10^-20 m^2

 

위 산란 단면적을 모두 합하여 Sigma 값을 구했고 이 값을 아래 식에 대입하니

 

Lamda = 1 / (N_g * Sigma) = 0.00031 m = 0.31 mm

 

0.31 mm이 나오게 됩니다.

 

이전 질문 글에서 Vrms의 정량적인 값이 제시되지 않아 산란 단면적이 최대가 되는 값을 대입하셨나 싶어

전자 에너지 15ev의 산란 단면적을 모두 더하여 계산하니 2Torr 기준 0.145 mm 였습니다.

상기 계산 중 어느 부분에 오류가 있는건가요?

 

항상 큰 도움 주셔서 감사드립니다!

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77303
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20501
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57414
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68950
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92988
570 RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1098
569 Plasma Arching [1] 1102
568 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1103
567 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1112
566 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1116
565 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1122
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1128
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1144
562 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1150
561 자기 거울에 관하여 1152
560 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1153
559 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1155
558 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1156
557 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1158
556 Group Delay 문의드립니다. [1] 1161
555 wafer bias [1] 1166
554 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1174
553 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1175
552 공정플라즈마 [1] 1175
551 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1181

Boards


XE Login