Etch RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소

2022.03.24 15:39

오브리야 조회 수:1099

안녕하십니까, 반도체분야에서 공부하고 있는 비전공자 학생입니다. 

 

최근 RIE 장비로 Etching test를 진행 중 궁금한것이 생겨서 질문드립니다.

RIE 장비에서 Etching rate에 크게 기여하는 부분이 dc-bias라고 알고 있습니다. 

가스 유량, 압력, 그리고 power 심지어 reflected power 마저도 동일한데 dc-bias만 대략 70V나오던 것이 50V로 줄어드는 현상이 있었습니다. 혹시 이러한 간간히 일어나는 건가 싶어 질문남겨드립니다.

 

감사합니다.

번호 제목 조회 수
공지 [필독] QnA 글 작성을 위한 권한 안내 [286] 77311
공지 Q&A 검색 길잡이 – 내게 필요한 정보를 더 빠르게 찾는 방법 20506
공지 개인정보 노출 주의 부탁드립니다. 57415
공지 kr 입자 조사에 의한 Cu 스퍼터링 에너지 및 이탈 속도 분포 함수 68958
공지 질문하실 때 실명을 사용하여주세요. [3] 92991
» RIE 장비 사용 중 dc-bias의 감소 [1] 1099
569 Plasma Etching 교재 추천 부탁드립니다.. [3] 1104
568 Plasma Arching [1] 1104
567 Dechucking과 He gas의 관계 질문입니다. [1] 1112
566 DC Magnetron Sputter 플라즈마 진단 [1] 1119
565 Si 표면에 Ar Plasma Etching하면 안되는 이유 [1] 1128
564 공정 진행 중간에 60Mhz만 Ref가 튀는 현상 관련하여 어떤 이유들이 있을까요..? [2] 1131
563 etch defect 관련 질문드립니다 [1] 1145
562 안녕하세요 텅스텐 에치에 대해 질문드리겠습니다. 1152
561 자기 거울에 관하여 1152
560 엘립소미터 측정관련해서 질문이 있습니다. [1] 1155
559 Vacuum Chamber(Etching) 내에서 열의 이동과 Byproduct 이동과의 관계. [2] 1156
558 RF 반사파와 이물과의 관계 [1] 1157
557 플라즈마 주파수 예측관련 질문드립니다 [1] 1159
556 wafer bias [1] 1166
555 Group Delay 문의드립니다. [1] 1169
554 쉬쓰 천이지역에 관한 질문입니다. [1] 1175
553 공정플라즈마 [1] 1175
552 전자밀도 크기에 대하여 질문드립니다. (Ar, O2, N2 가스) [1] 1176
551 식각 가스 사용 챔버의 잔류 flourine cleaning 혹은 conditioning 방법 질문 [1] 1182

Boards


XE Login